公开(公告)号：CN104271783B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380023308.1

申请日：2013-03-19

Applicant: 三菱伸铜株式会社 ,  三菱综合材料株式会社

Inventor： 大石惠一郎 ,  外薗孝 ,  高崎教男 ,  中里洋介

IPC: C22C9/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: H01B1/026 ,  C22C9/04 ,  C22F1/08

Abstract: 本申请的用作端子或连接器材料的铜合金板含有4.5～12.0质量％的Zn、0.40～0.9质量％的Sn、0.01～0.08质量％的P及0.20～0.85质量％的Ni，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，具有11≤[Zn]+7.5×[Sn]+16×[P]+3.5×[Ni]≤19的关系，并且，Ni为0.35～0.85质量％时，具有7≤[Ni]/[P]≤40的关系，平均结晶粒径为2.0～8.0μm，圆形或椭圆形的析出物的平均粒径为4.0～25.0nm或者在所述析出物中粒径为4.0～25.0nm的析出物所占的个数比例为70％以上，导电率为29％IACS以上，作为耐应力松弛特性在150℃、1000小时的条件下应力松弛率为30％以下，弯曲加工性在W弯曲中为R/t≤0.5，焊料润湿性优异，杨氏模量在100×103N/mm2以上。

公开(公告)号：CN102804352B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080025444.0

申请日：2010-05-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 牧一诚 ,  谷口兼一 ,  中里洋介

IPC: H01L21/3205 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/05 ,  C22C9/10 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H05K1/09

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及布线层结构，该布线层结构具备：半导体基板或玻璃基板的基底基板；在该基底基板上形成的含氧Cu层或含氧Cu合金层；在该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上形成的含有Al、Zr、Ti中的至少一种的氧化物层；和在该氧化物层上形成的、含有Al、Zr、Ti中的至少一种的Cu合金层。

公开(公告)号：CN102349157B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200980157928.8

申请日：2009-10-22

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 牧一诚 ,  谷口兼一 ,  中里洋介 ,  森晓

IPC: H01L29/786 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C9/01 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。

公开(公告)号：CN104271783A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023308.1

申请日：2013-03-19

Applicant: 三菱伸铜株式会社 ,  三菱综合材料株式会社

Inventor： 大石惠一郎 ,  外薗孝 ,  高崎教男 ,  中里洋介

IPC: C22C9/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: H01B1/026 ,  C22C9/04 ,  C22F1/08

Abstract: 本申请的用作端子或连接器材料的铜合金板含有4.5～12.0质量％的Zn、0.40～0.9质量％的Sn、0.01～0.08质量％的P及0.20～0.85质量％的Ni，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，具有11≤[Zn]+7.5×[Sn]+16×[P]+3.5×[Ni]≤19的关系，并且，Ni为0.35～0.85质量％时，具有7≤[Ni]/[P]≤40的关系，平均结晶粒径为2.0～8.0μm，圆形或椭圆形的析出物的平均粒径为4.0～25.0nm或者在所述析出物中粒径为4.0～25.0nm的析出物所占的个数比例为70％以上，导电率为29％IACS以上，作为耐应力松弛特性在150℃、1000小时的条件下应力松弛率为30％以下，弯曲加工性在W弯曲中为R/t≤0.5，焊料润湿性优异，杨氏模量在100×103N/mm2以上。

公开(公告)号：CN103781924A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280040753.4

申请日：2012-09-19

Applicant: 三菱伸铜株式会社 ,  三菱综合材料株式会社

Inventor： 大石恵一郎 ,  外薗孝 ,  高崎教男 ,  中里洋介

IPC: C22C9/04 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C9/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明的铜合金板的一方式含有28.0～35.0质量%的Zn、0.15～0.75质量%的Sn及0.005～0.05质量%的P，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，满足44≥[Zn]+20×[Sn]≥37且32≤[Zn]+9×（[Sn]-0.25）1/2≤37的关系。该铜合金板的一方式通过包括对铜合金材料进行冷轧的精冷轧工序的制造工序来制造，所述铜合金材料的平均结晶粒径为2.0～7.0μm，所述铜合金材料的金属组织中的β相的面积率和γ相的面积率的总计为0%以上且0.9%以下。