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公开(公告)号：CN113964016A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110805979.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供适于抑制三角缺陷的产生的碳化硅外延晶片的制造方法。碳化硅外延晶片的制造方法具有：蚀刻工序，使用包含H2的蚀刻气体而在第一温度下对碳化硅基板的表面进行蚀刻；平坦化处理工序，使用包含H2气、第一Si供给气体和第一C供给气体的气体在第二温度下使在蚀刻工序中被蚀刻的表面平坦化；以及外延层生长工序，在通过平坦化处理工序而被平坦化的表面之上，使用包含第二Si供给气体和第二C供给气体的气体在第三温度下进行外延生长，第一温度T1、第二温度T2、第三温度T3满足T1>T2>T3。
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公开(公告)号：CN112210827A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010646344.5
申请日：2020-07-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种碳化硅外延生长装置以及碳化硅外延晶片的制造方法，其能够在碳化硅基板之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，得到稳定的良好的器件特性。将搭载了碳化硅基板(1)以及碳化钽部件(4)的晶片保持器(2)搭载于基座(6)内的旋转台(5)，通过基座(6)周围的感应加热线圈(7)进行加热，通过向基座(6)内供给生长气体、掺杂气体以及载气，从而在碳化硅基板(1)之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，能够得到稳定的良好的器件特性，并且能够提高碳化硅外延晶片工序的成品率。
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公开(公告)号：CN106435722B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610638775.0
申请日：2016-08-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。
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公开(公告)号：CN106435722A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610638775.0
申请日：2016-08-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除
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