公开(公告)号：CN104797533A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380059194.6

申请日：2013-11-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村保博 ,  稻永康隆 ,  守川彰 ,  山内登起子 ,  钓本崇夫 ,  武藤浩隆 ,  生沼学 ,  滝正和

IPC: C02F1/48

CPC classification number: C02F1/4608 ,  C02F1/74 ,  C02F2001/46171 ,  C02F2101/30 ,  C02F2201/003 ,  C02F2201/46175 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2201/48 ,  C02F2305/023 ,  C02F1/465

Abstract: 得到通过施加与在大气中相同的程度的电场，能够实现包含大量的微细气泡的被处理水中的大容积放电，并且实现高的处理效率的水处理装置以及水处理方法。一种水处理装置，在处理水槽内的被处理水中发生气泡，通过利用气泡中的气泡放电发生了的自由基，处理被处理水，其中，具备：主电极，在第1主电极与第2主电极之间形成主放电区域；预备电极，在第1预备电极与第2预备电极之间形成预备放电区域；以及气泡发生部，使用从外部供给的气体，在被处理水中发生气泡，在气泡发生部中发生了的气泡通过预备放电区域时，在气泡中形成放电，在成为激励状态的气泡通过主放电区域时，再次在气泡中形成放电而发生自由基。

公开(公告)号：CN1924603B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200610128852.4

申请日：2006-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川泰助 ,  小林浩 ,  长永隆志 ,  黑岩丈晴 ,  拜山沙德克 ,  滝正和

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  G11B5/39

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R15/205

Abstract: 本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。

公开(公告)号：CN106414345A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580005431.X

申请日：2015-01-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 生沼学 ,  滝正和 ,  稻永康隆 ,  高田诚

IPC: C02F1/48

Abstract: 在水处理装置中，相对水平面倾斜地配置倾斜板。被处理水沿着倾斜板的上表面流动。在倾斜板上流动的被处理水所形成的水膜的上方，隔着气体层配置放电形成体。水滴形成装置通过对水膜提供动力，使被处理水的至少一部分成为水滴，朝向上方喷射。

公开(公告)号：CN103250233A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180058658.2

申请日：2011-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津田睦 ,  今村谦 ,  滝正和 ,  池田知弘 ,  藤原伸夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/50

Abstract: 包括微晶半导体薄膜形成工序，在该微晶半导体薄膜形成工序中，对具备等离子体电极和基板的真空容器内一边连续地供给主成分中包含氢的气体，一边断续地供给至少包含硅或者锗的半导体材料气体，并且与供给所述半导体材料气体的期间和不供给所述半导体材料气体的期间同步地对所述等离子体电极供给不同的高频电力，在所述等离子体电极与所述基板之间的等离子体生成空间中生成等离子体，由此形成微晶半导体薄膜，在所述微晶半导体薄膜形成工序中，对所述半导体材料气体的供给进行接通/关断调制而周期性地供给所述半导体材料气体，将接通所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力设为比关断所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力小，使所述接通/关断调制的调制频率或者所述接通/关断调制的占空比随着时间的推移而变化。

公开(公告)号：CN1940586A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610084417.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川泰助 ,  小林浩 ,  长永隆志 ,  黑岩丈晴 ,  拜山沙德克 ,  滝正和

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00

Abstract: 提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。

公开(公告)号：CN1924603A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610128852.4

申请日：2006-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川泰助 ,  小林浩 ,  长永隆志 ,  黑岩丈晴 ,  拜山沙德克 ,  滝正和

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  G11B5/39

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R15/205

Abstract: 本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。