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公开(公告)号:CN102540605B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201210007092.7
申请日:2010-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , H01L27/1288 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种在FFS模式的液晶显示装置中,不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备:源极布线(44),在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成;半导体层(2),在栅极绝缘膜(11)上形成,配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面;像素电极(6),在漏极电极(5)上直接重叠形成;透明导电图案(6a),在源极电极(4)和源极布线(44)上,通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成;对置电极(8),在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成,在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。
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公开(公告)号:CN101788738B
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201010109263.8
申请日:2010-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , H01L27/1288 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种在FFS模式的液晶显示装置中,不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备:源极布线(44),在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成;半导体层(2),在栅极绝缘膜(11)上形成,配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面;像素电极(6),在漏极电极(5)上直接重叠形成;透明导电图案(6a),在源极电极(4)和源极布线(44)上,通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成;对置电极(8),在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成,在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。
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公开(公告)号:CN100526960C
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200710105090.0
申请日:2007-05-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 永野慎吾
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133753 , G02F1/134363 , G02F2001/134372 , G02F2201/124 , G02F2203/09
Abstract: 本发明提供一种具有优良显示品质的液晶显示装置及其制造方法。本发明一实施例的液晶显示装置具有夹在对置配置的阵列基板(110)和对置基板(201)之间的液晶层(203),并在一个像素内设置有反射部和透射部,其中,阵列基板(110)具备:设置在反射部S的反射像素电极(65);设置在反射部S、并在与反射像素电极(65)之间产生倾斜方向电场的反射公共电极(66);设置在透射部T的透射公共电极(92);设置在透射部T、并在与透射公共电极(92)之间产生横方向电场的透射像素电极(91)。
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公开(公告)号:CN101097338A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200710127321.8
申请日:2007-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133371 , G02F1/134363
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置,其为低成本,不仅可进行不发生灰度反转的宽视角的透过显示,而且可以在透过模式和反射模式下分别进行黑白的显示。一种液晶显示装置,其为横电场方式,在对置的第一基板和第二基板中夹着液晶层,在矩阵状排列的像素内具有透过区域和反射区域,在第一基板上设置有给液晶层施加电压的像素电极和公共电极,在第一基板的液晶层的相反侧的面上,从第一基板侧起,按顺序具备约λ/2的相位差板、约λ/4的相位差板、偏光板,在第二基板的液晶层的相反侧的面上,从第二基板侧起,按顺序设置有约λ/4的相位差板、偏光板。
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公开(公告)号:CN103698886A
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201310448121.8
申请日:2013-09-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02B27/22 , G02F1/1343 , G02F1/1335 , H04N13/04
Abstract: 本发明的目的在于提供能够恰当地显示两个图像的双图像显示器。显示装置具备:显示面板(11),在横向排列有子像素对(41);视差屏障闸门面板(21),在横向排列有能够对光透过状态和遮光状态进行切换的子开口(210)。使属于基准视差屏障间距P的多个子开口(210)的相互相邻的任意数量的子开口(210)为光透过状态并使剩余的子开口(210)为遮光状态,由此,在视差屏障闸门面板(21)上形成总开口(300)。位于相邻的共同驱动区(251)彼此的边界部分的子开口间距△SW与其他的子开口间距△SW不同。
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公开(公告)号:CN103091915A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201210440476.8
申请日:2012-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2001/136295 , H01L29/41733 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种能抑制透明导电膜上的绝缘膜产生膜浮起,且得到透明导电膜与金属膜的良好的电连接性的布线构造。在和分别作为布线起作用的第一导电膜(2)与第二导电膜(5)连接的布线转换部(45)中,第一透明导电膜(6)具有在该第一透明导电膜(6)的角部附近不覆盖第二导电膜(5)的端面,在角部附近以外覆盖第二导电膜(5)的端面的部分。第一透明导电膜(6)的上层的第二透明导电膜(7)通过与第二导电膜(5)和第一导电膜(2)连接,第一导电膜(2)与第二导电膜(5)被电连接。
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公开(公告)号:CN100460968C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200610081917.4
申请日:2006-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333
Abstract: 在源极布线(2)下层隔着栅极绝缘膜(8),沿源极布线(2)配置第一电极图案(11),在源极布线(2)上层隔着层间绝缘膜(9),沿源极布线(2),且在基本不与所述源极布线(2)重叠的位置配置第二电极图案(12),通过配置在上下层的电极图案(11、12)有效屏蔽来自源极布线(2)的泄漏电场。另外,第一电极图案(11)与栅极布线(1)以及第二电极图案(12)与对置电极(6),由同一层导电膜形成。从而,得到减少来自源极布线(2)的泄漏电场导致液晶(300)取向的散乱,同时增大开口率且不增加制造工序而使源极布线(2)与对置电极(6)之间不易发生短路的液晶显示装置及其制造方法。
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公开(公告)号:CN100426062C
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200610074330.0
申请日:2006-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1343 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/136213 , G02F1/136259
Abstract: 提供一种在同一层上设置了源极布线和反射像素电极的半透射型液晶显示装置,即使在保持源极布线和反射像素电极的间隔而形成的情况下,也不降低反射对比度,并且,没有透明像素电极和辅助电容布线发生短路的危险,可修补点缺陷。与透明像素电极(91)在同一层上,在反射区域形成对比度降低防止电极(95)。并且,在平面图上不与辅助电容布线(24)重叠的位置上,设置连接对比度降低防止电极(95)和透明像素电极(91)用的连接部(202)。在对比度降低防止电极(95)和对置电极(未图示)间产生面间短路的情况下,可在连接部(202)上从透明像素电极(91)切断对比度降低防止电极(95)。
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公开(公告)号:CN100420035C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200510089557.8
申请日:2005-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133555 , G02F2001/136236 , H01L21/32139 , H01L27/124
Abstract: 不需要增加掩模枚数而能够提供一种具备薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列衬底,其中,所述薄膜晶体管是将由含有铝的上层和下层金属层的叠层加工形成的漏极电极兼作反射电极并且漏极电极和象素电极间的接触电阻低。在构成下层的金属膜和上层的铝膜的叠层结构的漏极进行曝光时,通过改变仅一部分区域的曝光量,形成抗蚀剂厚度比其他区域薄的区域之后,与通常相同地形成图案。此后,完全去除该区域的抗蚀剂,仅对露出的铝膜进行选择性蚀刻去除。在该区域设置接触孔,通过该接触孔使得与象素电极电连接,其中,该接触孔形成于漏极电极上的层间绝缘膜。
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公开(公告)号:CN1959993A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610144555.9
申请日:2006-11-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/136227
Abstract: 提供抑制了起因于栅绝缘膜的绝缘破坏的像素电极与辅助电容电极的短路之发生的薄膜晶体管阵列基板。本发明的一个形态的TFT阵列基板(100)设有:在反射像素电极(65)下方隔着栅绝缘膜(30)设置的辅助电容电极(23);设置在反射像素电极(65)上方的层间绝缘膜(70);在未设置辅助电容电极(23)的区域中设于层间绝缘膜(70)上的接触孔(80);通过接触孔(80)与反射像素电极(65)连接的透射像素电极(90);在设有接触孔(80)的区域中设于反射像素电极(65)下方的厚度校正图案(24),厚度校正图案(24)与辅助电容电极(23)之间被绝缘。
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