公开(公告)号：CN114175427A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201980098685.9

申请日：2019-08-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大和屋武 ,  柳乐崇

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/12

Abstract: 半导体激光器装置(50)是分布反馈型的激光器部(21)以及电场吸收型的调制器部(22)形成于同一半导体基板(1)，从激光器部(21)射出的激光束从调制器部(22)的射出端面(32)射出的半导体激光器装置。激光器部(21)具备沿激光束的光轴的方向延伸而形成的第一衍射光栅(17)，调制器部(22)在至少一部分具备沿激光束的光轴的方向延伸而形成的第二衍射光栅(18)。在调制器部(22)的第二衍射光栅(18)与向调制器部(22)射出激光束的激光器部(21)的射出端之间，夹设有不形成衍射光栅的非衍射光栅区域(25)。

公开(公告)号：CN104868360B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201410708671.3

申请日：2014-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津波大介 ,  河原弘幸 ,  柳乐崇

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34313 ,  G02B6/122 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1007 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34306

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。

公开(公告)号：CN104868360A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410708671.3

申请日：2014-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津波大介 ,  河原弘幸 ,  柳乐崇

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34313 ,  G02B6/122 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1007 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34306

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。