开关控制电路以及开关电源装置

    公开(公告)号:CN104584405A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201280075483.0

    申请日:2012-08-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现节省空间化、低成本化的用于规定的开关电源装置中的开关控制电路。并且,本发明所涉及的电压检测电路(4)由差动放大部(13)以及H检测滤波电路(14)构成,差动放大部(13)将输入电压(V1)以及一次侧电压(V2)之间的电位差放大而得到差动放大电压(V3)。H检测滤波电路(14)提取差动放大电压(V3)的低频成分而输出检测电压(V4)。DC/DC控制IC(15)将基于检测电压(V4)对脉冲宽度进行整形而得到的PWM信号(S15)输出至晶体管(Q11)的控制电极,由此控制晶体管(Q11)的导通/截止动作。

    功率模块以及电力转换装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118974925A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202380030904.6

    申请日:2023-03-17

    Abstract: 目的在于提供一种在功率模块中能够抑制因热应力而产生的散热部件的翘曲的技术。功率模块具备:半导体元件(21、22);陶瓷基板(10),其具有搭载半导体元件(21、22)的搭载面;以及翅片基底(70),其接合于陶瓷基板(10)的与搭载面相反的一侧的面,陶瓷基板(10)中的与翅片基底(70)接合的接合区域是与搭载有半导体元件(21、22)的部分对应的区域,陶瓷基板(10)中的与翅片基底(70)接合的接合区域的面积比搭载有半导体元件(21、22)的部分的面积小。

    半导体装置
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110383488B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201780088076.6

    申请日:2017-03-16

    Abstract: 得到可靠性高的半导体装置。半导体装置(11)具备半导体基板、第1栅布线(22)及第2栅布线(22)、第1金属部(20a)、绝缘部件(40)以及第2金属部(20b)。第1栅布线(22)及第2栅布线(22)在半导体基板的主面上相互隔开间隔而配置。第1金属部(20a)形成于第1栅布线(22)及第2栅布线(22)之上。第1金属部(20a)具有在第1栅布线(22)与第2栅布线(22)之间的区域中位于与半导体基板(18)侧相反的一侧的上表面。在上表面形成有凹部(28)。绝缘部件(40)埋入于凹部(28)的至少一部分。第2金属部(20b)从绝缘部件(40)的上部表面上延伸至第1金属部(20a)的上表面上。

    金属基座板的翘曲控制构造、半导体模块及逆变器装置

    公开(公告)号:CN113906553A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN201980097064.9

    申请日:2019-06-06

    Abstract: 目的在于提供通过在从常温向高温的温度变化时向金属基座板赋予翘曲,从而对在从高温向常温的温度变化时产生的金属基座板的翘曲进行控制的技术。金属基座板(1)的翘曲控制构造具有金属基座板(1)、异种金属层(2)和绝缘基板(4)。异种金属层(2)形成于金属基座板(1)的表面。绝缘基板(4)经由接合材料(3)而接合于异种金属层(2)的表面,并且绝缘基板(4)具有在两面配置的金属板(42a、42b)。在将金属基座板(1)的线膨胀系数设为α1,将异种金属层(2)的线膨胀系数设为α2,将金属板(42a、42b)的线膨胀系数设为α3时,满足α1>α3>α2。

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