公开(公告)号：CN108431962B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201580085524.8

申请日：2015-12-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村胜光 ,  原田辰雄 ,  野村典嗣

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 具备：有源单元区域；边缘端接区域，其将该有源单元区域包围；以及中间区域，其处于这些区域的中间，该有源单元区域在上表面侧具有沟槽栅型的MOS构造，作为下表面侧的纵向构造，具有p集电极层、该p集电极层之上的n缓冲层、以及该n缓冲层之上的n漂移层，该n缓冲层具有：第1缓冲部分，其设置在该p集电极层侧；以及第2缓冲部分，其设置在该n漂移层侧，该第1缓冲部分的峰值杂质浓度比该第2缓冲部分的峰值杂质浓度高，该第2缓冲部分的该n漂移层侧的杂质浓度梯度比该第1缓冲部分的该n漂移层侧的杂质浓度梯度平缓。

公开(公告)号：CN109659252A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811155776.5

申请日：2018-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下钦也 ,  上野和起 ,  原田辰雄 ,  野村典嗣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够将半导体芯片和载片带剥离而不在半导体芯片发生破裂及缺损等缺陷的技术。半导体拾取装置(500)具有：拾取台(100)，其隔着在半导体芯片(1)的下表面粘贴的载片带(2)而载置半导体芯片(1)；延展部(200)，其对载片带(2)进行保持，对载片带(2)进行拉伸；顶起针(3)，其能够从拾取台(100)的上表面凸出，隔着载片带(2)将半导体芯片(1)顶起；以及使顶起针(3)一边螺旋状地动作一边顶起的机构。