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公开(公告)号：CN100380211C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510099912.X
申请日：2005-09-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2001/136218
Abstract: 本发明的目的在于在将源极布线和反射像素电极设置于同一层上的半透射型液晶显示装置中，提供一种即使在保持源极布线和反射像素电极两者之间的间隔的情况下形成，反射对比度也不会降低的半透射型液晶显示装置。在反射像素电极(65)与源极布线(63)之间的间隔(L)处的、重叠于第一辅助电容电极(23)的位置上，形成用于防止反射对比度降低的、防止对比度降低的电极(95)。
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公开(公告)号：CN1892308A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610074330.0
申请日：2006-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1343 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/136213 , G02F1/136259
Abstract: 提供一种在同一层上设置了源极布线和反射像素电极的半透射型液晶显示装置，即使在保持源极布线和反射像素电极的间隔而形成的情况下，也不降低反射对比度，并且，没有透明像素电极和辅助电容布线发生短路的危险，可修补点缺陷。与透明像素电极(91)在同一层上，在反射区域形成对比度降低防止电极(95)。并且，在平面图上不与辅助电容布线(24)重叠的位置上，设置连接对比度降低防止电极(95)和透明像素电极(91)用的连接部(202)。在对比度降低防止电极(95)和对置电极(未图示)间产生面间短路的情况下，可在连接部(202)上从透明像素电极(91)切断对比度降低防止电极(95)。
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公开(公告)号：CN1866347A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084406.8
申请日：2006-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G2310/06 , G09G2320/0233 , G09G2360/142
Abstract: 本发明抑制光传感器的读取信号线所受的各种噪声的影响，提高了检测精度。在光传感器内置型显示装置中，具备检测电路，该检测电路检测光传感器的值，并且通过连接在多条读取信号线上的多个选择器来有选择地与任意的读取信号线相连接；使栅极信号线为接通的定时与使选择器为接通的定时相比，滞后了预定期间，该预定期间是不带来选择器接通之后的开关噪声对读取信号线的影响的预定期间。
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公开(公告)号：CN1866085A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610081909.X
申请日：2006-05-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G06F3/0412 , G09G3/3611
Abstract: 本发明的目的在于提供可通过减少积分器的个数来降低成本的显示装置，其中设有：信号线(91～94)、(95～98)、(99～912)、(913～916)分别由信号线(10a)、(10b)、(10c)、(10d)汇总为1根，并分别连接至积分器(4a)、(4b)、(4c)、(4d)。与信号线(91～916)正交地形成选择器线(71～74)，选择器线(71～74)连接至选择器驱动电路(3)。在选择器线(71)与信号线(91)、(95)、(99)、(913)的交点、选择器线(72)与信号线(92)、(96)、(910)、(914)的交点、选择器线(73)与信号线(93)、(97)、(911)、(915)的交点以及选择器线(74)与信号线(94)、(98)、(912)、(916)的交点上分别形成a－SiTFT(12)。选择器驱动电路(3)以帧周期依次驱动选择器线(71～74)。
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公开(公告)号：CN1727977A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510089557.8
申请日：2005-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133555 , G02F2001/136236 , H01L21/32139 , H01L27/124
Abstract: 不需要增加掩模枚数而能够提供一种具备薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述薄膜晶体管是将由含有铝的上层和下层金属层的叠层加工形成的漏极电极兼作反射电极并且漏极电极和象素电极间的接触电阻低。在构成下层的金属膜和上层的铝膜的叠层结构的漏极进行曝光时，通过改变仅一部分区域的曝光量，形成抗蚀剂厚度比其他区域薄的区域之后，与通常相同地形成图案。此后，完全去除该区域的抗蚀剂，仅对露出的铝膜进行选择性蚀刻去除。在该区域设置接触孔，通过该接触孔使得与象素电极电连接，其中，该接触孔形成于漏极电极上的层间绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100485767C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610084406.8
申请日：2006-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G2310/06 , G09G2320/0233 , G09G2360/142
Abstract: 本发明抑制光传感器的读取信号线所受的各种噪声的影响，提高了检测精度。在光传感器内置型显示装置中，具备检测电路，该检测电路检测光传感器的值，并且通过连接在多条读取信号线上的多个选择器来有选择地与任意的读取信号线相连接；使栅极信号线为接通的定时与使选择器为接通的定时相比，滞后了预定期间，该预定期间是不带来选择器接通之后的开关噪声对读取信号线的影响的预定期间。
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公开(公告)号：CN100460968C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610081917.4
申请日：2006-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333
Abstract: 在源极布线(2)下层隔着栅极绝缘膜(8)，沿源极布线(2)配置第一电极图案(11)，在源极布线(2)上层隔着层间绝缘膜(9)，沿源极布线(2)，且在基本不与所述源极布线(2)重叠的位置配置第二电极图案(12)，通过配置在上下层的电极图案(11、12)有效屏蔽来自源极布线(2)的泄漏电场。另外，第一电极图案(11)与栅极布线(1)以及第二电极图案(12)与对置电极(6)，由同一层导电膜形成。从而，得到减少来自源极布线(2)的泄漏电场导致液晶(300)取向的散乱，同时增大开口率且不增加制造工序而使源极布线(2)与对置电极(6)之间不易发生短路的液晶显示装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN100426062C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610074330.0
申请日：2006-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1343 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/136213 , G02F1/136259
Abstract: 提供一种在同一层上设置了源极布线和反射像素电极的半透射型液晶显示装置，即使在保持源极布线和反射像素电极的间隔而形成的情况下，也不降低反射对比度，并且，没有透明像素电极和辅助电容布线发生短路的危险，可修补点缺陷。与透明像素电极(91)在同一层上，在反射区域形成对比度降低防止电极(95)。并且，在平面图上不与辅助电容布线(24)重叠的位置上，设置连接对比度降低防止电极(95)和透明像素电极(91)用的连接部(202)。在对比度降低防止电极(95)和对置电极(未图示)间产生面间短路的情况下，可在连接部(202)上从透明像素电极(91)切断对比度降低防止电极(95)。
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公开(公告)号：CN100420035C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200510089557.8
申请日：2005-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133555 , G02F2001/136236 , H01L21/32139 , H01L27/124
Abstract: 不需要增加掩模枚数而能够提供一种具备薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述薄膜晶体管是将由含有铝的上层和下层金属层的叠层加工形成的漏极电极兼作反射电极并且漏极电极和象素电极间的接触电阻低。在构成下层的金属膜和上层的铝膜的叠层结构的漏极进行曝光时，通过改变仅一部分区域的曝光量，形成抗蚀剂厚度比其他区域薄的区域之后，与通常相同地形成图案。此后，完全去除该区域的抗蚀剂，仅对露出的铝膜进行选择性蚀刻去除。在该区域设置接触孔，通过该接触孔使得与象素电极电连接，其中，该接触孔形成于漏极电极上的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101202286A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710159650.0
申请日：2007-11-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/3213 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种在形成多种薄膜图形的区域，在同一照相制版工序中进行中间曝光的场合，中间抗蚀剂膜厚的偏差减小，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的工艺保留余地增加而成品率提高、成本降低的阵列衬底、显示器、及其制造方法。在阵列衬底(100)中，在由第2导电膜形成的漏电极(8)、源极端子(62)、及共用连接布线(46)上分别具有，采用不完全曝光抗蚀剂(30)的中间曝光量，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的区域(H1、H2、H3)。在该区域(H1、H2、H3)的下层的大致整个区域中，以离衬底(1)的高度基本相同的方式形成有由第1导电膜形成的薄膜图形(12、15)或共用布线(3)。
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