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发明公开
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN106558601A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847818.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 , 南条拓真 , 吹田宗义 , 今井章文 , 柳生荣治 , 冈崎拓行

IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335

Abstract: 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。

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