公开(公告)号：CN1453829A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03124018.6

申请日：2003-04-24

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 齐藤范之 ,  吉田卓司 ,  井上和武 ,  石川诚 ,  上原口好夫

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  C23F1/20

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20

Abstract: 一种用于通过湿蚀刻对金属薄膜形成图案的蚀刻剂，尤其用于生产诸如半导体元件和液晶显示器元件的半导体器件的一种蚀刻剂，是要应用于一种多层膜上，这种多层膜具有由铝或铝合金构成的第一层和其上形成的由各含至少一种选自氮，氧、硅和碳元素的铝或铝合金构成的第二层，和含有磷酸量35～65重量％及硝酸量0.5～15重量％；和利用该蚀刻剂进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1421906A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02160227.1

申请日：2002-11-28

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  夏普公司

Inventor： 铃木芳英 ,  泽井敬一 ,  齐藤范之 ,  三好胜 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/10

CPC classification number: C23F1/14 ,  C11D1/523 ,  C11D7/10 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种蚀刻液，含作为溶质的碘、碘化物和醇，和诸如水这样的溶剂。该蚀刻液均匀蚀刻在半导体器件或液晶装置用基片的表面上形成的金或金合金层。在该层上形成多个金或金合金柱。用该蚀刻液几乎不蚀刻这些柱。该蚀刻液均匀蚀刻柱之间存在的金或金合金层。该蚀刻液可以进一步含表面活性剂。