压电变压器逆变器
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1249655A

    公开(公告)日:2000-04-05

    申请号:CN99121068.9

    申请日:1999-09-29

    CPC classification number: H02M7/53806

    Abstract: 压电变压器逆变器包括:逆变器单元,包括陶瓷压电变压器、驱动单元以及逆变器控制电路;降压斩波器单元,包括开关器件、自由转向器件以及脉宽调制反馈控制电路。在此压电变压器逆变器中,即使PWM反馈控制电路不可能进行反馈控制,也可限制斩波器单元的导通占空度,使之不超过给定的量。

    电感器阵列式芯片以及DC-DC转换器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103608877A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201280030002.4

    申请日:2012-11-14

    Abstract: 本发明提供一种电感器阵列式芯片以及DC-DC转换器,所述电感器阵列式芯片在烧制时不容易产生结构缺陷且能够稳定地制造。电感器阵列式芯片(40)具备磁性体层层叠体(41)和多个电感器L1、L2。磁性体层层叠体(41)具有被层叠的多个磁性体层(42)。多个电感器L1、L2被配置在磁性体层层叠体(41)内。多个电感器L1、L2的电感值相互不同。多个电感器L1、L2分别具有多个螺旋状导体(43a、43b)和通孔导体(44a、44b)。多个螺旋状导体(43a、43b)分别被配置在磁性体层(42)间。通孔导体(44a、44b)电连接多个螺旋状导体(43a、43b)。多个电感器L1、L2包括多个螺旋状导体(43a、43b)的厚度不同的多个电感器。

    ESD保护装置及其制造方法
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108701972B

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201680082875.8

    申请日:2016-12-22

    Abstract: 本公开的ESD保护装置具有:第一放电电极和第二放电电极,它们形成于绝缘性基体的表面或者内部,彼此局部对置;和放电辅助电极,其与上述第一放电电极和上述第二放电电极电连接,上述放电辅助电极包括第一金属粒子、第二金属粒子以及结合剂,第一金属粒子具有由以第一金属作为主成分的核部、和以第二金属的氧化物作为主成分且在至少局部具有空隙的壳部构成的核‑壳构造,第二金属粒子具有由以第一金属作为主成分的核部、和以第二金属的氧化物作为主成分且没有空隙的壳部构成的核‑壳构造。能够提供具有针对绝缘性的较高的可靠性,并且能够使放电起始电压降低的ESD保护装置。

    直流-直流变换器
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100438296C

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200510076539.6

    申请日:2005-06-09

    Inventor: 野间隆嗣

    CPC classification number: H02M3/1588 Y02B70/1466

    Abstract: 一种直流-直流变换器包括串联连接在输入端与输出端之间的NchFET1,以及连接在Nch FET1的输出端侧与接地端之间的Nch FET2。在电路的输出端侧,接有平流滤波电路和比较器电路。将比较电路的输出端侧与导通持续时间限制电路相连,而且所述导通持续时间限制电路通过反相器与用以控制Nch FET1的H/S驱动电路相连,并与控制Nch FET2的L/S驱动电路直接相连。其中,当从比较器把用以导通Nch FET1的切换控制信号输入导通持续时间限制电路时,导通持续时间限制电路检测处于导通状态的时间,并输出信号,使Nch FET1暂时受到截止控制。

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