公开(公告)号：CN100377454C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200410004848.8

申请日：2004-02-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  户田忠夫 ,  冈本重之 ,  井上大二朗 ,  别所靖之 ,  野村康彦 ,  山口勤

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

公开(公告)号：CN1913104A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610095905.7

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/60 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。本发明还提供另一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，在上述研磨过的第1半导体层背面上形成n侧电极，热处理，附着在所述n侧电极与放热基台之间。这些方法可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN1519998A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410004848.8

申请日：2004-02-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  户田忠夫 ,  冈本重之 ,  井上大二朗 ,  别所靖之 ,  野村康彦 ,  山口勤

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

公开(公告)号：CN1913104B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610095905.7

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/60 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。本发明还提供另一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，在上述研磨过的第1半导体层背面上形成n侧电极，热处理，附着在所述n侧电极与放热基台之间。这些方法可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN101222116A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810008830.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  户田忠夫 ,  冈本重之 ,  井上大二朗 ,  别所靖之 ,  野村康彦 ,  山口勤

IPC: H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

公开(公告)号：CN101114688A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710147743.1

申请日：2004-02-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  户田忠夫 ,  冈本重之 ,  井上大二朗 ,  别所靖之 ,  野村康彦 ,  山口勤

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

公开(公告)号：CN1271766C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03108827.9

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/306 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。该方法具有浸蚀由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面的工序和在该浸蚀过的第1半导体层背面上形成n侧电极的工序。

公开(公告)号：CN1797803A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510128698.6

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层和在该第1半导体层的背面上形成的n侧电极，所述n侧电极与第1半导体层之间的接触电阻在0.05Ωcm2以下。