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公开(公告)号：CN102122677A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110034938.1
申请日：2007-08-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0512 , H01L31/022425 , H01L31/0481 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块以及太阳能电池模块的制造方法。太阳能电池模块，其具备多个太阳能电池单元，该多个太阳能电池单元通过由布线(41a、41b)连接形成在相邻的太阳能电池单元的表面上的母线电极(21)，而相互连接。母线电极(21)埋入在布线(41b)中，太阳能电池单元(1)和布线(41b)通过树脂接合。
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公开(公告)号：CN101506993A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031240.6
申请日：2007-08-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0512 , H01L31/022425 , H01L31/0481 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块以及太阳能电池模块的制造方法。太阳能电池模块，其具备多个太阳能电池单元，该多个太阳能电池单元通过由布线(41a、41b)连接形成在相邻的太阳能电池单元的表面上的母线电极(21)，而相互连接。母线电极(21)埋入在布线(41b)中，太阳能电池单元(1)和布线(41b)通过树脂接合。
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公开(公告)号：CN101114688A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710147743.1
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN1534841A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101373796B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200810131217.0
申请日：2008-08-01
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供太阳能电池模块和其制造方法，在本实施方式的太阳能电池模块的制造方法中，在通过包含粒子(13)的树脂粘接剂(12)，将配线材料(11)热压接在太阳能电池(10)的主面上的工序中，在与第一方向大致正交的切断面上，配线材料(11)的外周朝向汇流条电极(40)形成为凸状，作为配线材料(11)和汇流条电极(40)被电连接的区域的连接区域(C)的宽度(W1)大于配线材料(11)的宽度(W2)的大致一半。
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公开(公告)号：CN101521254B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910005133.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN1534841B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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公开(公告)号：CN101521254A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005133.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN100377454C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410004848.8
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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