公开(公告)号：CN100510158C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN03121219.0

申请日：2003-03-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  山田努

IPC: C23C14/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明的目的是在蒸镀工序中，控制由掩膜所导致的对于基板表面的损害。是通过在磁铁(120)与由磁性材料所构成的掩膜(111)之间插入玻璃基板(130)，并使玻璃基板(130)与掩膜(111)密接。由蒸镀源(140)通过掩膜(111)的开口部(112)在玻璃基板(130)的表面进行有机EL元件材料的蒸镀，从而形成有机EL元件的图案。并对与掩膜(111)的玻璃基板(130)表面相对一侧的表面实施粗糙化处理。

公开(公告)号：CN1257557C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200310113460.7

申请日：2003-11-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 濑川泰生 ,  青田雅明 ,  山田努

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明关于一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，使隔着栅极绝缘层与TFT(10)的栅极电极(20)电容结合的第1半导体层(15)，及隔着栅极绝缘层与保持电容的保持电容线(42)电容结合的第2半导体层(16)相互分开，并且由金属配线(43)连接第1半导体层(15)与第2半导体层(16)。即，分别使TFT(10)的栅极电极(20)与第1半导体层(15)电容结合，及使保持电容的保持电容线(42)与第2半导体层(16)电容结合，由于该结合而使各半导体层的电位产生变化，因此，不会产生大的电位差，可防止绝缘破坏或绝缘泄漏的发生。

公开(公告)号：CN1248319C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03119560.1

申请日：2003-03-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  濑川泰生 ,  青田雅明

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明是一种将栅极电极形成于有源层之上层的顶栅型TFT，覆盖TFT有源层(24)以及栅极绝缘膜(30)、栅极电极(36)而形成的层间绝缘膜(40)，采用由有源层侧积层SiNx膜(42)、SiO2膜(44)的积层结构，SiNx膜(42)的厚度，设定为50nm至200nm左右，更优选100nm左右，借助于设定为上述厚度，可对下层的多结晶Si有源层(24)供给充足的终止悬空键用的氢，并维持形成于该层间绝缘膜(40)的接触孔等的形成精度。从而可提高多结晶SiTFT的特性。

公开(公告)号：CN1239946C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN03107054.X

申请日：2003-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小川真司 ,  井上和弘 ,  小间德夫 ,  石田聪 ,  山田努 ,  山下彻 ,  小田信彦

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133553

Abstract: 本发明提供一种具备反射层的显示装置，其在第1基板上形成反射层，该反射层在覆盖于每一像素中设置的开关元件的绝缘膜上与开关元件绝缘，而由第2基板侧将透过由ITO等所形成的第2电极而入射的光予以反射；而在比反射层更靠近液晶层侧之处形成有具备与第2电极相同的功函数且由ITO等透明导电材料所构成的第1电极，并与开关元件相连接。第1电极的膜厚设定在100以下，或是750至1250之间的程度。借此，不但可防止因第1电极所引起的颜色不均或反射率的降低，同时可借由第1、第2电极，在良好的对称性下交流驱动液晶层。此外，亦可使开关元件与反射电极相连接，并使挟持绝缘膜而形成的第1电极与反射电极形成电容结合，再借由该电容，由反射电极驱动第1电极。

公开(公告)号：CN1236476C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN03101971.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 佐野景一 ,  山田努

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  G09G3/32

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明目的在于提供一种显示品质更高的半导体显示装置及其制造方法。其中，形成与像素区域的各像点相对应且用以进行驱动的晶体管DTFT(图2(a))。另一方面，在像素区域的周边，形成有构成驱动电路的晶体管TFT(图2(b))。构成此晶体管DTFT的多晶硅10，以及构成晶体管TFT的多晶硅15，系藉由对于同一非晶硅进行激光照射的步骤而产生。但是，在晶体管DTFT的下方形成有散热性佳的遮光层配线SL。因此，构成此晶体管DTFT的多晶硅10的结晶粒的粒径，系设定成比构成晶体管TFT的多晶硅15的结晶粒的粒径更小。

公开(公告)号：CN1214695C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN02125167.3

申请日：2002-06-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/524 ,  H01L23/10 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/566 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可适当地维持显示装置的品质，同时封装形成有EL组件的基板的电场发光显示装置的制造方法。其中，在利用例如真空吸附等从上面吸附支持的玻璃基板(1L)的下面，设有显示区域DP，而在该显示区域DP上形成有EL组件。另一方面，在载置于由石英玻璃等所构成的支持台(50)的封装基板(30L)上，涂布有紫外线硬化性的密封树脂(40)。在进行该等玻璃基板(1L)与封装基板(30L)的对位后，对玻璃基板(1L)施加作用力，并且透过封装基板(30L)将紫外线照射在密封树脂(40)。

公开(公告)号：CN1195095C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02125165.7

申请日：2002-06-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  西川龙司 ,  大今进

IPC: C23C14/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/042 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种透过屏蔽形成电场发光组件之际，可更适当地进行屏蔽与基板的位置对准的电场发光显示装置的制造方法。其中玻璃基板1将构成电场发光组件的发光层所蒸镀形成的面朝垂直下方而插入真空室内。该真空室内设置有屏蔽30。透过该屏蔽30的开口部而使上述发光层的材料附着形成在玻璃基板1上，即可附着形成发光层。在进行该玻璃基板1与屏蔽30的位置对准之际，玻璃基板1由销33所支持。

公开(公告)号：CN1540417A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410037221.2

申请日：2004-04-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小田信彦 ,  山田努 ,  奥山正博

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/136227

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法，其中，该显示装置具有：形成在与玻璃基板(1)上的反射区域(60a)相对应的区域，且具有作为反射膜的功能的源极(7)；形成于源极(7)上方的平坦化膜(9)；以及形成于平坦化膜(9)上方的透明电极(10)。

公开(公告)号：CN1462481A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN02801641.6

申请日：2002-05-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 米田清 ,  山田努 ,  汤田真次 ,  铃木浩司

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成贯通栅极绝缘膜(5)的第1接触孔(6)，并于栅极绝缘膜(5)上形成栅极电极(7g)，并同时于第1接触孔内形成第1接触部(7s、7d)。形成贯通层间绝缘(8)膜的第2接触孔(9)，并于第2接触孔(9)内，形成第2接触部(10)。形成贯通平坦化膜(26)的第3接触孔(11)，并于第3接触孔(11)内形成电极(40)。为电气连接电极(40)与半导体膜(3)而利用多个接触孔，各接触孔可缩小长宽比，从而实现成品产率提升、因接触部的上面与底面的面积差降低而带来的高集成化等。

公开(公告)号：CN1379482A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02104992.0

申请日：2002-03-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明谋求由激光退火进行的多晶化的均衡化。在驱动器内装型有源矩阵型显示装置等中的透明基板上的一部分区域上形成金属层(32),具备缓冲层(11)使之覆盖金属层(32)的形成区域及非形成区域的每一个。在该缓冲层(11)之上、且在金属层的形成区域上配置第1多晶硅膜,在非形成区域上配置第2多晶硅膜。缓冲层(11)具备充分的膜厚和热容量,加大有源层与其下层金属层的层间距离,能够缓和由金属层引起的热漏泄。因此,通过对成膜于缓冲层(11)上的非晶硅膜进行设定成同一条件的激光退火,能够分别得到适宜颗粒尺寸的第1以及第2多晶硅膜。