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公开(公告)号：CN106953090B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201610878435.5
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/587 , H01M4/40 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M10/052 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 负极活性物质包括基于硅的合金，且基于硅的合金包括Si单相、FeSi2α相、和FeSi2β相，其中FeSi2β相的第二衍射峰对FeSi2α相的第一衍射峰的强度比可为0.1或更高。负极包括所述负极活性物质并且锂电池包括所述负极。包括所述负极活性物质的锂电池的寿命特性可改善。
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公开(公告)号：CN104810510B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201510016538.6
申请日：2015-01-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/134 , H01M10/0525
Abstract: 提供了负极活性物质、负极、包括该负极活性物质的锂电池以及制造该负极活性物质、负极和锂电池的方法。该负极活性物质包括硅基合金，所述硅基合金包括Si、Ti、Ni和Fe组分。硅基合金包括作为非活性相的Ti2Ni相和具有比通常的硅基合金的活性硅的含量低的含量的活性硅。该负极活性物质可以改善锂电池的放电容量和寿命特性。
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公开(公告)号：CN106953090A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610878435.5
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/587 , H01M4/40 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M10/052 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01M4/386 , C01B33/00 , C22C1/02 , H01M2/162 , H01M2/1653 , H01M4/0404 , H01M4/043 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/622 , H01M4/623 , H01M4/625 , H01M4/661 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , H01M2004/028 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0034 , H01M2300/004 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/366 , H01M4/382 , H01M4/405 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M10/052
Abstract: 负极活性物质包括基于硅的合金，且基于硅的合金包括Si单相、FeSi2α相、和FeSi2β相，其中FeSi2β相的第二衍射峰对FeSi2α相的第一衍射峰的强度比可为0.1或更高。负极包括所述负极活性物质并且锂电池包括所述负极。包括所述负极活性物质的锂电池的寿命特性可改善。
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公开(公告)号：CN101383255A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810214874.1
申请日：2008-09-03
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供了一种保护层及其制造方法和包括这种保护层的等离子体显示板。保护层由氧化镁层和形成在氧化镁层上的电子发射促进材料组成。电子发射促进材料可在氧化镁层上被图案化，或者可被喷射和热处理到氧化镁层的表面上。保护层表现出卓越的电子发射特性而基本不受等离子体的损坏，从而改善了PDP的可靠性。
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公开(公告)号：CN1841621A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510048893.8
申请日：2005-12-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J11/40 , C23C14/081 , C23C26/00 , C23C28/322 , C23C28/345 , H01J9/02 , H01J11/12
Abstract: 一种等离子体显示面板(PDP)的保护层由金属和金属氧化物构成。该金属置于与保护层表面的距离是保护层厚度的10％或以下。而且，在形成PDP的保护层的方法中和在应用该保护层的PDP中，该金属置于与保护层表面的距离是保护层厚度的10％或以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1737980A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510092172.7
申请日：2005-08-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 这里提供了一种用于等离子体显示面板的保护层和形成该保护层的方法。保护层形成在包含维持电极的等离子体显示面板的基板上。在保护层的纹理中形成具有方向性的颗粒列。因为可控制颗粒列的方向，所以空隙的一般取向是公知的，在空隙数最少的方向上施加用于放电的电场。结果，减小了保护层的蚀刻速率，由此增加了保护层的寿命。此外，因为放电离子很少可能撞击保护层，所以实现了二次电子的快速发射和减小的放电延迟时间。因此可缩短放电延迟时间和改善放电的击穿电压。
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公开(公告)号：CN103258989B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201310045515.9
申请日：2013-02-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/052 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M2004/021
Abstract: 用于锂二次电池的电极包括硅类合金，并具有至约1μm至约10μm的表面粗糙度和5μm或更小的表面粗糙度偏差。制造所述电极的方法包括混合电极组合物，研磨所述组合物，在集流体上涂布所述研磨的组合物，和干燥所述研磨的组合物。锂二次电池包括所述电极。
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公开(公告)号：CN103258989A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310045515.9
申请日：2013-02-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/052 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M2004/021
Abstract: 用于锂二次电池的电极包括硅类合金，并具有至约1μm至约10μm的表面粗糙度和5μm或更小的表面粗糙度偏差。制造所述电极的方法包括混合电极组合物，研磨所述组合物，在集流体上涂布所述研磨的组合物，和干燥所述研磨的组合物。锂二次电池包括所述电极。
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公开(公告)号：CN101459022B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810183768.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/40 , Y10T428/258
Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板(PDP)的保护层，制备该保护层的方法，和包括该保护层的PDP。保护层包含可以使具有镁空位杂质中心(VIC)的含镁氧化物颗粒附着其上的表面的含镁氧化物层。保护层可以阻挡等离子体离子且具有极好的电子发射效应，因此，包含该保护层的PDP可以在具有高放电效率的低电压下工作。
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公开(公告)号：CN101459022A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810183768.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/40 , Y10T428/258
Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板(PDP)的保护层，制备该保护层的方法，和包括该保护层的PDP。保护层包含可以使具有镁空位杂质中心(VIC)的含镁氧化物颗粒附着其上的表面的含镁氧化物层。保护层可以阻挡等离子体离子且具有极好的电子发射效应，因此，包含该保护层的PDP可以在具有高放电效率的低电压下工作。
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