公开(公告)号：CN101383255A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810214874.1

申请日：2008-09-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李玟锡 ,  崔钟书 ,  金奭基 ,  姜东贤 ,  尤里·马图莱维科 ,  金哉赫 ,  徐淳星 ,  秋希伶

IPC: H01J17/02 ,  H01J17/04 ,  H01J17/49 ,  H01J9/02 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/40

Abstract: 本发明提供了一种保护层及其制造方法和包括这种保护层的等离子体显示板。保护层由氧化镁层和形成在氧化镁层上的电子发射促进材料组成。电子发射促进材料可在氧化镁层上被图案化，或者可被喷射和热处理到氧化镁层的表面上。保护层表现出卓越的电子发射特性而基本不受等离子体的损坏，从而改善了PDP的可靠性。

公开(公告)号：CN101459022B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200810183768.1

申请日：2008-12-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李玟锡 ,  崔钟书 ,  金奭基 ,  尤里·马图莱维科 ,  金哉赫 ,  徐淳星 ,  秋希伶

IPC: H01J17/02 ,  H01J9/00 ,  H01J17/49

CPC classification number: H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/40 ,  Y10T428/258

Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板(PDP)的保护层，制备该保护层的方法，和包括该保护层的PDP。保护层包含可以使具有镁空位杂质中心(VIC)的含镁氧化物颗粒附着其上的表面的含镁氧化物层。保护层可以阻挡等离子体离子且具有极好的电子发射效应，因此，包含该保护层的PDP可以在具有高放电效率的低电压下工作。

公开(公告)号：CN101459022A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810183768.1

申请日：2008-12-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李玟锡 ,  崔钟书 ,  金奭基 ,  尤里·马图莱维科 ,  金哉赫 ,  徐淳星 ,  秋希伶

IPC: H01J17/02 ,  H01J9/00 ,  H01J17/49

CPC classification number: H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/40 ,  Y10T428/258

Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板(PDP)的保护层，制备该保护层的方法，和包括该保护层的PDP。保护层包含可以使具有镁空位杂质中心(VIC)的含镁氧化物颗粒附着其上的表面的含镁氧化物层。保护层可以阻挡等离子体离子且具有极好的电子发射效应，因此，包含该保护层的PDP可以在具有高放电效率的低电压下工作。