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公开(公告)号：CN101459022B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810183768.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/40 , Y10T428/258
Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板(PDP)的保护层，制备该保护层的方法，和包括该保护层的PDP。保护层包含可以使具有镁空位杂质中心(VIC)的含镁氧化物颗粒附着其上的表面的含镁氧化物层。保护层可以阻挡等离子体离子且具有极好的电子发射效应，因此，包含该保护层的PDP可以在具有高放电效率的低电压下工作。
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公开(公告)号：CN100559542C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610126856.9
申请日：2006-09-07
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J11/22 , H01J11/12 , H01J11/16 , H01J61/0672 , H01J61/305 , H01J61/70 , H01J2211/245 , H01J2211/265
Abstract: 一种等离子体显示面板(PDP)，包括：介电层，具有多个按矩阵设置的介电层穿孔；和上电极层和下电极层，具有连接到所述介电层穿孔的电极层穿孔并贴置在该介电层两个表面上；该上电极层包括多个沿第一方向延伸的第一电极，所述多个第一电极包围一组沿该第一方向设置的电极层穿孔；并且该下电极层包括多个沿与该第一方向不同的第二方向延伸的第二电极，所述多个第二电极包围一组沿该第二方向设置的电极层穿孔。包围所述电极层穿孔的单体电极从所述介电层朝着所述穿孔的中心凸出，以便在上单体电极和下单体电极之间产生对向放电，得到一种特性稳定、高效且结构简单的PDP。
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公开(公告)号：CN101459022A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810183768.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/40 , Y10T428/258
Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板(PDP)的保护层，制备该保护层的方法，和包括该保护层的PDP。保护层包含可以使具有镁空位杂质中心(VIC)的含镁氧化物颗粒附着其上的表面的含镁氧化物层。保护层可以阻挡等离子体离子且具有极好的电子发射效应，因此，包含该保护层的PDP可以在具有高放电效率的低电压下工作。
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公开(公告)号：CN101256922A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080658.2
申请日：2008-02-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 用于制备PDP保护层的材料，其减少放电延迟时间、改进温度依赖性以及具有增强的离子强度；制备该材料的方法；由该材料形成的保护层；和包括该保护层的PDP。更具体地，包括以2.0×10－5－1.0×10－2重量份/1重量份氧化镁(MgO)的量的掺杂有稀土元素的单晶氧化镁的用于保护层的材料，通过在约2,800℃下使其结晶制备该单晶氧化镁的方法，由该材料形成的保护层，以及包括该保护层的PDP。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111129424B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201910952931.4
申请日：2019-10-09
IPC: H01M4/13 , H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及全固态二次电池和制备全固态二次电池的方法。全固态二次电池包括：负极层，其包括第一负极活性材料层；正极层，其包括正极活性材料层；在所述负极层和所述正极层之间的固体电解质层；以及在所述负极层上并与固体电解质层相反的负极集流体，其中第一负极活性材料层的表面的最大粗糙度深度R最大为约3.5微米或更小。
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公开(公告)号：CN112786948A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011252209.9
申请日：2020-11-11
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M4/13 , H01M10/058
Abstract: 全固体二次电池包括正极层；负极层；以及设置在所述正极层和所述负极层之间的固体电解质层，其中所述正极层包括正极集流体、设置在所述正极集流体上的正极活性材料层、和设置在所述正极活性材料层的至少一个侧表面上的无活性构件，其中所述负极层包括负极集流体和设置在所述负极集流体上的第一负极活性材料层。
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公开(公告)号：CN101752163A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253809.4
申请日：2009-12-08
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种保护层及其制备方法以及包括该保护层的等离子体显示面板，PDP的保护层包括掺杂源层和主体层，掺杂源层包含至少一种掺杂剂，主体层接触掺杂源层并且包括从掺杂源层扩散的至少一种掺杂剂。该保护层能减少掺杂剂的损耗，且避免施主掺杂剂和受主掺杂剂之间的权衡/冲突。
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公开(公告)号：CN101383255A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810214874.1
申请日：2008-09-03
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供了一种保护层及其制造方法和包括这种保护层的等离子体显示板。保护层由氧化镁层和形成在氧化镁层上的电子发射促进材料组成。电子发射促进材料可在氧化镁层上被图案化，或者可被喷射和热处理到氧化镁层的表面上。保护层表现出卓越的电子发射特性而基本不受等离子体的损坏，从而改善了PDP的可靠性。
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公开(公告)号：CN1841621A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510048893.8
申请日：2005-12-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J11/40 , C23C14/081 , C23C26/00 , C23C28/322 , C23C28/345 , H01J9/02 , H01J11/12
Abstract: 一种等离子体显示面板(PDP)的保护层由金属和金属氧化物构成。该金属置于与保护层表面的距离是保护层厚度的10％或以下。而且，在形成PDP的保护层的方法中和在应用该保护层的PDP中，该金属置于与保护层表面的距离是保护层厚度的10％或以下。
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