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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101202329A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710097863.5
申请日：2007-04-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L51/0097 , H01L51/524 , H01L51/56 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括：基底；半导体层，形成在基底上；有机发光二极管，形成在半导体层上；密封剂，形成在基底的形成有机发光二极管和半导体层的外周上；包封基底，附于密封剂。
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公开(公告)号：CN1638147A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410103882.0
申请日：2004-10-18
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78615
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：形成于绝缘衬底上的有源层并具有沟道区和源/漏区；对应有源区的沟道区形成的栅极电极；在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。
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公开(公告)号：CN101179092A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710097865.4
申请日：2007-04-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3272 , H01L51/56 , H01L2251/566
Abstract: 本发明提供了一种能够用在薄的装置例如移动电话和个人数字助理中的薄的有机发光器件。有机发光显示器(OLED)包括阻挡紫外线的层，使得在制造期间和制造之后，二极管和晶体管被屏蔽于紫外线。为了防止制造期间的破损，将两个基底结合到一起，并在两个基底的每个上形成器件，提供不易破坏的较厚结构。在制造完成之后将基底分离。
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公开(公告)号：CN1287340C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200410082545.8
申请日：2004-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L27/12 , H01L27/3262 , H01L29/783 , H01L29/78639
Abstract: 提供了一种具有长寿命的高速平板显示器。具有多个象素的象素部分中的薄膜晶体管与用于驱动象素的驱动电路部分中的薄膜晶体管的接触不同，从而提高了亮度均匀性并减小了功耗。每个薄膜晶体管具有沟道区和用于向沟道区施加预定电压的体接触区。象素部分中的至少一个薄膜晶体管是源-体接触薄膜晶体管，其具有连接到源和漏电极之一的体接触区，从而使预定电压被提供给沟道区。驱动电路部分中的每一薄膜晶体管是栅-体接触薄膜晶体管，其具有连接到栅电极的体接触区，从而使预定电压被提供给沟道区。
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公开(公告)号：CN1855393A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610058671.9
申请日：2006-03-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和制造该TFT的方法，其中，简化了制造工艺并且减小了对栅极绝缘层的损坏。制造该TFT的方法包括：在基底上形成至少一个缓冲层；在缓冲层上形成第一半导体层，通过在第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成第二半导体层；将第二半导体层图案化，形成源区和漏区；在源区和漏区上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极。
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