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公开(公告)号:CN102447074A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201110251334.2
申请日:2011-08-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L29/4908
Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示装置及一种制造该有机发光显示装置的方法。该有机发光显示装置包括底电容器电极、像素电极和顶电容器电极,底电容器电极与薄膜晶体管的有源层形成在同一平面上并包括掺杂有离子杂质的半导体,顶电容器电极与栅电极形成在同一平面上,其中,形成了整个地暴露像素电极和顶电容器电极的接触孔。
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公开(公告)号:CN102117826A
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN201010541892.8
申请日:2010-11-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/3258
Abstract: 本发明公开有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括:形成在基板上的薄膜晶体管的有源层;形成在所述有源层的边缘处的第一导电层;形成在所述基板和所述第一导电层上的第一绝缘层;与所述有源层的中央区域对应且形成在所述第一绝缘层上的第二导电层;与所述第二导电层隔开预定距离的扇出的下电极;像素电极;形成在所述第二导电层上的第三导电层;形成在所述扇出的下电极上的扇出的上电极;形成在所述第三导电层、所述扇出的上电极和所述像素电极上的第二绝缘层;以及与所述像素电极接触并且形成在所述第二绝缘层上的源电极和漏电极。
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公开(公告)号:CN102637716A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201110270500.3
申请日:2011-09-06
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L2251/5392
Abstract: 一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括:衬底;设置在所述衬底上的半导体层;设置在所述半导体层上的绝缘膜;以及设置在所述绝缘膜上的传导层,其中所述半导体层包括在第一方向延伸的多条突起线,所述突起线平行于所述传导层的外围边缘。
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公开(公告)号:CN102544055A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110236219.8
申请日:2011-08-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3279 , H01L27/329 , H01L51/5246
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括:基底;缓冲层,形成在所述基底上;栅极绝缘层,形成在所述缓冲层上;导电层,形成在所述栅极绝缘层上;以及像素限定层,暴露所述导电层的一部分以形成连接到驱动集成电路(IC)芯片的凸块的焊盘部分,其中,凸起和凹进形成在所述导电层的表面上。
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公开(公告)号:CN102456849A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110342812.0
申请日:2011-10-27
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3258
Abstract: 提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括:薄膜晶体管(TFT),包括有源层、栅电极、源电极和漏电极;有机发光器件,包括像素电极、发射层和对电极,像素电极电连接到TFT,由与栅电极相同的材料形成并与栅电极形成在同一层;以及焊盘电极,由与栅电极相同的材料形成并与栅电极形成在同一层。焊盘电极具有形成在其中的开口。
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公开(公告)号:CN102142427A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN201010588327.7
申请日:2010-11-30
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/12 , H01L21/77 , H01L21/768
CPC classification number: H01L51/5262 , G02F1/1368 , H01L27/3258
Abstract: 公开平板显示设备及其制造方法。在实施例中,平板显示设备包括:i)第一基板,ii)形成在第一基板上方的有源层,其中有源层包括源区、漏区和沟道区,iii)形成在有源层上的栅极绝缘层,iv)形成在栅极绝缘层上并在有源层的沟道区上方的栅电极以及v)形成在栅极绝缘层和栅电极上的第一层间绝缘膜。该设备可进一步包括1)通过接触孔分别电连接至有源层的源区和漏区的源电极和漏电极,其中接触孔形成在第一层间绝缘膜和栅极绝缘层中,2)仅插入i)第一层间绝缘膜与ii)源电极和漏电极之间的第二层间绝缘膜,3)形成在第一层间绝缘膜以及源电极和漏电极上的平坦层以及4)通过形成在平坦层中的通孔电连接至源电极或漏电极的像素电极。
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