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公开(公告)号：CN102623460A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110204575.1
申请日：2011-07-13
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 柳春基
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管基板及其制造方法。薄膜晶体管基板，包括：基板；活性层以及电容器第一电极，形成于所述基板上；栅绝缘膜，形成于所述基板、所述活性层以及所述电容器第一电极上；栅电极以及电容器第二电极，形成于所述栅绝缘膜上，所述栅电极对应于所述活性层，所述电容器第二电极对应于所述电容器第一电极；层间绝缘膜，形成于所述栅绝缘膜、所述栅电极以及所述电容器第二电极上；以及像素电极、源电极和漏电极，形成于所述层间绝缘膜上，其中，所述源电极和漏电极中的至少一个形成于所述像素电极上。
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公开(公告)号：CN102593145A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110263950.X
申请日：2011-09-02
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/5265
Abstract: 在具有较好图像质量和装置可靠性的有机发光显示器以及制造该有机发光显示器的相关方法中，该有机发光显示器包括：栅电极，形成于衬底上；层间绝缘膜，形成于所述衬底上以覆盖所述栅电极；以及透明电极，形成于所述层间绝缘膜上。该层间绝缘膜包括具有不同折射率的多个层。
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公开(公告)号：CN102110719A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010579567.0
申请日：2010-12-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/04 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示装置和一种制造该显示装置的方法，所述薄膜晶体管包括：基底；栅电极，位于所述基底上；栅极绝缘层，位于所述栅电极上；半导体层，位于所述栅极绝缘层上；源/漏电极，与所述半导体层电连接，其中，所述栅电极具有大约至大约的厚度，所述栅极绝缘层具有大约至大约的厚度。
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公开(公告)号：CN102063011A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010506962.6
申请日：2010-10-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: C30B29/06 , C23C14/048 , C30B1/023 , C30B13/22 , G03F1/50
Abstract: 公开了一种激光掩膜及使用该激光掩膜的连续横向固化结晶方法。在一个实施例中，所述激光掩膜包括：掩膜基板，包括：i)被配置为使光透射过去的至少一个透光部分，以及ii)多个遮光部分，由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开。所述遮光部分被配置为挡光；并且多个突出和凹陷区域位于所述掩膜基板的遮光部分上。所述突出和凹陷区域包括交替形成的多个凹进部分和多个凸起部分。
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公开(公告)号：CN102637716A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110270500.3
申请日：2011-09-06
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L2251/5392
Abstract: 一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：衬底；设置在所述衬底上的半导体层；设置在所述半导体层上的绝缘膜；以及设置在所述绝缘膜上的传导层，其中所述半导体层包括在第一方向延伸的多条突起线，所述突起线平行于所述传导层的外围边缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102420238A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110170399.4
申请日：2011-06-20
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种OLED显示器及其制造方法。OLED的制造方法包括：在基底上形成第一存储板和覆盖第一存储板的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上顺序地形成覆盖第一存储板的第二存储板和电容器中间体；在第一存储板中通过将杂质注入到第一存储板的未被电容器中间体覆盖的部分来形成第一掺杂区；形成具有暴露电容器中间体的电容器开口的层间绝缘层，并且在所述电容器开口中在电容器中间体的朝向第一掺杂区的边缘上形成多个腐蚀防止层；去除电容器中间体和腐蚀防止层；通过第二存储板在第一存储板中注入杂质，以形成接触第一掺杂区的第二掺杂区。
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公开(公告)号：CN102044568A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010504260.4
申请日：2010-10-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/78618
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：基底；栅电极，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在栅电极上；半导体层，设置在栅极绝缘层上并包括多晶硅(poly-Si)层；欧姆接触层，设置在半导体层的预定区域上；绝缘的中间层，设置在基底的包括欧姆接触层的基本整个表面上；源电极和漏电极，通过形成在绝缘的中间层中的接触孔电连接到欧姆接触层。阻隔层设置在半导体层与欧姆接触层之间。因此，当控制底栅式TFT的截止电流时，可以通过简单的工艺来防止因泄漏电流导致的特性的劣化。
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公开(公告)号：CN102544386A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110361923.6
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3297 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开一种有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备，包括：薄膜晶体管，包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极；以及有机发光器件，电连接至所述薄膜晶体管。由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及对电极被顺序沉积。第一焊盘电极由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中，第二焊盘电极形成在所述第一焊盘电极的至少一部分上，并且由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中，并且第三焊盘电极接触所述第二焊盘电极的至少一部分并且由与所述源电极相同的材料形成在同一层中。
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公开(公告)号：CN102544056A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110260380.9
申请日：2011-08-30
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5259 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。根据本发明一实施例的有机发光显示装置包括：第一基板，具有显示区域和非显示区域；驱动器件，形成于所述第一基板的所述显示区域，具有驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管以及电容器；电路部，形成于所述第一基板的所述非显示区域；有机发光器件，形成于所述驱动器件上，具有像素电极、有机发光层以及公共电极；无机保护膜，形成为覆盖所述有机发光器件的公共电极以及所述电路部；密封部件，形成于所述第一基板的所述非显示区域中的所述无机保护膜上；以及第二基板，设置于所述无机保护膜以及所述密封部件上。
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公开(公告)号：CN102214697A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110069262.X
申请日：2011-03-18
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L51/5281 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管的制造方法及一种包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：基底；多晶硅半导体层，位于基底上；金属图案，位于半导体层和基底之间，金属图案与半导体层绝缘，其中，半导体层的多晶硅包括与晶化生长方向平行的晶界，多晶硅半导体层的表面粗糙度小于大约15nm，多晶硅层的表面粗糙度定义为在多晶硅半导体层的表面中的最低峰与最高峰之间的距离。
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