公开(公告)号：CN114520115A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111191491.9

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金亨旭 ,  白承仁 ,  洪智秀 ,  张银河 ,  朴宰成 ,  李忠垠

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层；侧边缘部，分别设置在主体的侧表面上；以及外电极，分别设置在主体的端表面上。主体包括电容形成部和覆盖部，电容形成部包括与介电层交替设置的内电极，覆盖部分别设置在电容形成部的上表面和下表面上。Ga2/Ga1大于或等于0.8且小于1.0，并且Ga2/Gc1大于或等于0.8且小于1.0。a1是电容形成部的中央部，a2是电容形成部的与覆盖部中的一个覆盖部相邻的边界部，c1是所述一个覆盖部的与所述电容形成部相邻的边界部。Ga1、Ga2和Gc1分别是a1、a2和c1处的介电晶粒的平均尺寸。

公开(公告)号：CN114446647A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111268422.3

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李种晧 ,  金弘锡 ,  金东灿 ,  赵恩廷 ,  李忠垠 ,  金惠彬 ,  崔恩柱 ,  黄仙珠

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多层结构，在所述多层结构中，设置有多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外表面上并且连接到所述多个内电极。所述主体包括高电阻部，所述高电阻部设置在所述介电层与所述内电极之间的区域和所述介电层的内部的区域中的至少一个区域中，并且所述高电阻部的电阻高于所述内电极的电阻，并且所述高电阻部和所述多个内电极包括相同的金属成分和相同的金属氧化物成分。

公开(公告)号：CN114429863A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202111233002.1

申请日：2021-10-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 沈揆正 ,  崔虎森 ,  姜昇旻 ,  金珍奎 ,  金宰源 ,  洪昭贤 ,  李种晧 ,  李忠垠

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括有效部和覆盖部，所述有效部具有介电层以及第一内电极和第二内电极，所述覆盖部分别设置在所述有效部的在堆叠方向上的相对表面上；其中，当所述覆盖部的与所述第一内电极或所述第二内电极接触的区域是所述覆盖部的内部区域并且所述有效部的与所述覆盖部的所述内部区域相邻的区域是所述有效部的外部区域时，1.00