多层电子组件
    1.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118448162A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410111408.X

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括电容形成部和覆盖部,所述电容形成部包括在第一方向上交替地设置的介电层和内电极,所述覆盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上彼此相对的两个表面上;以及外电极,设置在所述主体的外部并且连接到所述内电极。所述覆盖部具有与所述电容形成部相邻的第一区域以及与所述覆盖部的外部相邻的第二区域。所述第二区域中包括的氟(F)的含量大于所述第一区域中包括的氟(F)的含量。

    介电浆料的制造方法和多层电容器的制造方法

    公开(公告)号:CN116190105A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202210811948.X

    申请日:2022-07-11

    Abstract: 本公开提供一种制造介电浆料的方法和制造多层电容器的方法。所述制造介电浆料的方法包括:将包括介电颗粒和溶剂的介电浆料供应到浆料供应模块;通过将所述介电浆料引入到颗粒分散模块中来分散所述介电浆料;通过将分散的介电浆料引入分级模块中,根据颗粒尺寸对所述介电颗粒进行分级;将所述介电颗粒的至少一部分回收到所述浆料供应模块;以及将回收到所述浆料供应模块的包括所述介电颗粒的所述至少一部分的所述介电浆料通过所述颗粒分散模块进行再分散。

    多层电子组件及制造该多层电子组件的方法

    公开(公告)号:CN118197802A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202310916481.X

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件及制造该多层电子组件的方法。所述多层电子组件包括:主体,具有介电层和内电极,内电极在第一方向上与介电层交替地设置,并且主体包括电容形成部和覆盖部,电容形成部包括内电极和介电层,覆盖部设置在电容形成部的表面上;以及外电极,设置在主体上,其中,包括在电容形成部中的锆(Zr)的平均摩尔含量与包括在覆盖部中的锆(Zr)的平均摩尔含量之比满足大于等于0.55且小于等于1.00,其中,包括在电容形成部中的锆(Zr)的平均摩尔含量满足大于等于1073ppm且小于等于1950ppm,并且其中,包括在电容形成部的中央区域中的介电晶粒的平均尺寸大于等于200nm且小于等于300nm,并且介电晶粒的尺寸的标准偏差大于等于100nm且小于等于130nm。

    多层陶瓷电子组件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114429863A

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202111233002.1

    申请日:2021-10-22

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括有效部和覆盖部,所述有效部具有介电层以及第一内电极和第二内电极,所述覆盖部分别设置在所述有效部的在堆叠方向上的相对表面上;其中,当所述覆盖部的与所述第一内电极或所述第二内电极接触的区域是所述覆盖部的内部区域并且所述有效部的与所述覆盖部的所述内部区域相邻的区域是所述有效部的外部区域时,1.00

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