-
-
公开(公告)号：CN108305660B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201711274002.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于以最佳读取电压读取数据的非易失性存储器设备的读取方法。读取方法包括：通过将连接到第一字线的第一组存储器单元的数据划分为M页并从M页单独地读取数据，读取第一组存储器单元的数据。读取数据包括：当读取M页中的每个页时，通过对第一组存储器单元的两个相邻阈值电压分布的第一谷执行片上谷搜索(OVS)操作；以及基于OVS操作的结果，经由对与第一字线相邻的第二字线的读取操作执行数据恢复读取操作。在数据恢复读取操作中，不执行对第一字线的读取操作。
-
公开(公告)号：CN101847439B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN200910258375.7
申请日：2009-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的存取方法，包括：检测第一存储单元的阈值电压变化，所述第一存储单元的阈值电压变化能够物理地影响第二存储单元；以及根据所述第一存储单元的阈值电压变化的间距，向所述第二存储单元分配从多个子分布当中选择的一个子分布，所述多个子分布对应于所述第二存储单元的目标分布。
-
公开(公告)号：CN101458954B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810191188.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418
Abstract: 本发明提供了一种用于N位数据非易失性存储系统的多位数据存储系统和读取操作。该方法包括：参照在多个存储单元中与所选存储单元相关的相邻存储单元的数据状态，确定从所选存储单元中获得的读取数据是否需要补偿；以及如果该读取数据需要补偿，则用补偿读取数据代替该读取数据。
-
公开(公告)号：CN101740128A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910212121.1
申请日：2009-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C29/00 , G11C2211/5634
Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储设备以及确定读电压的相关方法。非易失性半导体存储设备包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；读电压确定单元，被配置为通过比较在编程操作期间所获得的参考电压和在后续读操作期间所获得的比较数据，并且基于比较结果将当前读电压改变为新的读电压，来确定最优读电压；以及读电压产生单元，被配置为响应由读电压确定单元所提供的读电压控制信号产生新的读电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101727981A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910204682.7
申请日：2009-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16
Abstract: 非易失性存储器设备包括在擦除非易失性(例如，快闪)存储器单元块的操作期间支持存储器单元的恢复。非易失性存储器系统包括快闪存储器设备以及电耦接到快闪存储器设备的存储器控制器。存储器控制器被配置为，通过将第一指令发布到快闪存储器设备、接着将第二指令发布到快闪存储器设备来控制快闪存储器设备内的存储器单元的恢复操作，将第一指令发布到快闪存储器设备导致存储器块中的擦除的存储器单元变为至少部分地编程的存储器单元，将第二指令发布到快闪存储器设备导致至少部分地编程的存储器单元变为全部地被擦除。
-
公开(公告)号：CN108573722B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201810170463.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作包括存储单元阵列的非易失性存储器件的方法，其中所述存储单元阵列包括多个页，并且所述多个页中的每个页包括多个非易失性存储单元，使用第一默认读取电压和第一偏移读取电压来执行第一采样读取操作，以对从所述多个页中选择的第一页的第一区域中的存储单元的第一数量进行计数；以及基于所述第一数量和第一参考值的比较结果，使用第一默认读取电压和第二偏移读取电压选择性地执行第二采样读取操作，以对所述第一页的第二区域中的存储单元的第二数量进行计数。所述第二偏移读取电压不同于所述第一偏移读取电压。
-
公开(公告)号：CN101409107B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810148926.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: 本发明提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。
-
公开(公告)号：CN101847439A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910258375.7
申请日：2009-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的存取方法，包括：检测第一存储单元的阈值电压变化，所述第一存储单元的阈值电压变化能够物理地影响第二存储单元；以及根据所述第一存储单元的阈值电压变化的间距，向所述第二存储单元分配从多个子分布当中选择的一个子分布，所述多个子分布对应于所述第二存储单元的目标分布。
-
公开(公告)号：CN101458954A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810191188.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418
Abstract: 提供了一种用于N位数据非易失性存储系统的多位数据存储系统和读取操作。该方法包括：参照在多个存储单元中与所选存储单元相关的相邻存储单元的数据状态，确定从所选存储单元中获得的读取数据是否需要补偿；以及如果该读取数据需要补偿，则用补偿读取数据代替该读取数据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.038 seconds)
