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公开(公告)号：CN1835240B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200610007064.X
申请日：2006-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌炫
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L27/115 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 在例子实施例中，半导体衬底具有被多个沟槽分开的多个有源区。栅绝缘膜至少填充部分沟槽，以及在栅绝缘膜上形成导电栅膜。在例子实施例中，栅绝缘膜可以包括隧道绝缘膜、电荷存储膜以及阻挡绝缘膜。该例子实施例也可以包括场隔离膜，部分地填充半导体衬底的沟槽，以便有源区或衬底的上表面高于场隔离膜的上表面。
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公开(公告)号：CN101197379B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710198817.4
申请日：2007-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G06F13/00
CPC classification number: H01L27/115 , G11C16/0483 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11568
Abstract: 一种非易失性存储器件包括多个串联的存储晶体管，其中源/漏区和其间的沟道区是第一类型，以及在该多个串联的存储晶体管的每个端部的选择晶体管，其中该每个选择晶体管的沟道区是第一类型。该第一类型可以是n-型或p-型。该非易失性存储器还可以包括在一个选择晶体管和多个串联的存储晶体管之间的多个串联的存储晶体管一端的第一虚拟选择晶体管，以及在另一选择晶体管和多个串联的存储晶体管之间的多个串联的存储晶体管的另一端的第二虚拟选择晶体管。
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公开(公告)号：CN101911616A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123428.8
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/58
CPC classification number: H04L1/0014 , H04L1/0017 , H04L43/0882 , H04W28/18
Abstract: 提供一种在无线宽带(WiBro)网络中通过端对端信道状态感测来可变地控制视频数据的比特率的方法。所述方法包括：在视频数据传输期间将发送方和接收方的无线信道状态分类为正常状态和异常状态；根据分类结果可变地控制并确定发送方编码器的编码比特率；将确定的编码比特率与下行链路调制和编码选择等级(DL MCS等级)进行比较以改变发送方的最终编码比特率，所述下行链路调制和编码选择等级是接收方的参数。
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公开(公告)号：CN101625894A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140194.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌炫
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/349 , G11C2211/5641
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括第一存储器单元和相邻的第二存储器单元；以及数据输入/输出电路，其被配置成将第一存储器单元作为m比特单元操作并且将第二存储器单元作为n比特单元操作，其中m不等于n。存储器单元阵列可以包括与第一存储器单元相邻的第三存储器单元并且数据输入/输出电路可被进一步配置成将第三存储器单元作为k比特单元操作。数据输入/输出电路可被配置成响应于检测到对于第一存储器单元的擦除操作的数目满足预定准则而将第一存储器单元作为j比特单元操作，其中j小于n。
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公开(公告)号：CN101447229A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810128909.X
申请日：2008-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/06 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/30
Abstract: 本公开提供集成电路闪存器件及其擦除方法。集成电路闪存器件，诸如NAND闪存器件，包括：普通闪存单元的阵列；虚闪存单元的阵列；以及擦除控制器。该擦除控制器被构造为：在该集成电路闪存器件的擦除操作期间，同时地向虚闪存单元施加与普通闪存单元不同的预定偏压。还公开了与其相关的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101430934A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810184262.2
申请日：2008-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌炫
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/3454
Abstract: 提供了一种NAND闪存设备及其编程方法。NAND闪存设备可以包括包含多个页的单元阵列；存储页的编程数据的页缓冲器；提供编程验证数据到页缓冲器的数据存储电路；以及控制单元。控制单元可以在编程了至少两页之后使用编程验证数据编程页并且验证页。
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公开(公告)号：CN101312599A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810128772.8
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
IPC: H04Q7/38
Abstract: 公开了一种在宽带移动通信系统中通过考虑服务质量(QoS)来执行移动台(MS)移交的系统和方法。该方法可以包括步骤：从当前与所述MS进行通信的服务无线接入系统(RAS)接收关于一个或多个相邻基站的信息以及相邻基站的接收强度；从所接收的关于所述相邻基站的信息中提取具体字段的值；把所提取的具体字段的值与接收强度组合，从而得到组合值，并从组合值中选择最大值；以及向对应于所选择的最大值的基站发送移交请求消息。该系统包括MS，其分析在移动相邻基站广告(MOB_NBR_ADV)消息中接收的关于相邻基站的消息，以选择目标RAS。
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公开(公告)号：CN1574522A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200310120448.9
申请日：2003-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/06825 , H01S5/02208 , H01S5/042 , H01S5/0683 , H01S5/06837
Abstract: 公开了一种用于保护一个激光二极管免受初始瞬时冲击电流的影响的电路。该激光二极管保护电路包括：用于将预定电压提供给激光二极管，并且限定该电压不超过预定电压的上限压器；以及用于以预定时间常数来缓慢地增加将要提供给该上限压器的电压的低速增压器。对于ATC(自动温度控制)，该激光二极管保护电路还包括下限压器、低速降压器和第二漏电断路器。
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公开(公告)号：CN106558591B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610815844.0
申请日：2016-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11597 , H01L27/11551
Abstract: 公开了一种三维(3D)半导体器件，其包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的电极；沟道结构，结合到电极以构成在基底上三维布置的多个存储器单元，沟道结构包括穿过堆叠结构的第一竖直沟道和第二竖直沟道以及设置在堆叠结构下面以使第一竖直沟道和第二竖直沟道彼此横向连接的第一水平沟道；第二水平沟道，具有第一导电类型并且连接到沟道结构的第一水平沟道的侧壁；导电塞，具有第二导电类型并且设置在第二竖直沟道的顶端上。
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公开(公告)号：CN107635461B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201680028069.2
申请日：2016-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B5/0205 , A61B5/024 , A61B5/0402 , A61B5/0476 , A61B5/08 , A61B5/11 , A61B5/145 , A61B5/00 , A61B3/113 , A61M21/02
Abstract: 提供了一种使用感测设备控制温度调节设备的方法和装置。该方法包括：设置测试温度，向温度调节设备发送与测试温度相对应的温度调节指令，当应用测试温度时基于接收到的来自传感器的生物信息计算睡眠得分，以及，基于计算得到的睡眠得分确定睡眠最佳温度。
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