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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102957964B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201210227865.2
申请日：2012-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴泰绪
IPC: H04N21/435 , H04N21/431 , H04N21/254 , H04N21/266
CPC classification number: H04N21/4622 , H04H20/93 , H04N21/44008 , H04N21/8133
Abstract: 提供了一种广播信号接收器、提供广播信号相关信息的方法和服务器。提供了一种能够实时显示与广播信号对应的相关信息的广播信号接收器。
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公开(公告)号：CN101714550B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910253069.4
申请日：2009-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极/漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。栅极氧化层可以包括第一部分和在凹槽的侧表面上的第二部分，该第一部分在凹槽的侧端与有源区的侧壁之间的相交处上。第一部分的厚度可以大于第二部分的厚度的约70％。栅极电极可以形成在栅极氧化层上。源极/漏极区可以形成在衬底中。因此，凹形沟道阵列晶体管可以具有减小的泄漏电流和增大的导通电流。
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公开(公告)号：CN102957964A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210227865.2
申请日：2012-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴泰绪
IPC: H04N21/435 , H04N21/431 , H04N21/254 , H04N21/266
CPC classification number: H04N21/4622 , H04H20/93 , H04N21/44008 , H04N21/8133
Abstract: 提供了一种广播信号接收器、提供广播信号相关信息的方法和服务器。提供了一种能够实时显示与广播信号对应的相关信息的广播信号接收器。
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公开(公告)号：CN1937716A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139295.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N7/142 , H04N5/23293 , H04N5/2628 , H04N2007/145
Abstract: 提供了一种具有图像补偿的图像补偿设备及其方法，所述设备及方法能够根据比如相机的图像捕获装置的位置对变形的用户的脸部图像执行补偿。所述具有图像补偿的图像捕获设备包括：图像捕获单元，捕获对象的图像；倾斜确定单元，确定图像捕获单元相对于对象的倾斜；和补偿单元，根据确定的倾斜来补偿捕获的图像。
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公开(公告)号：CN1937716B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200610139295.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N7/142 , H04N5/23293 , H04N5/2628 , H04N2007/145
Abstract: 提供了一种具有图像补偿的图像补偿设备及其方法，所述设备及方法能够根据比如相机的图像捕获装置的位置对变形的用户的脸部图像执行补偿。所述具有图像补偿的图像捕获设备包括：图像捕获单元，捕获对象的图像；倾斜确定单元，确定图像捕获单元相对于对象的倾斜；和补偿单元，根据确定的倾斜来补偿捕获的图像。
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