公开(公告)号：CN119922316A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510257295.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英

IPC: H04N19/174 ,  H04N19/42

Abstract: 本发明提供一种影像译码装置执行的影像译码方法。一实施例的影像译码方法包括如下步骤：从位流获取显示当前NAL单元的类型的NAL单元类型信息；及对于所述NAL单元类型信息显示所述当前NAL单元的NAL单元类型为影像切片的编码数据的情况，基于当前图像是否适用混合NAL单元类型，而对所述影像切片进行译码。

公开(公告)号：CN114097243B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202080050502.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英

IPC: H04N19/60 ,  H04N19/176 ,  H04N19/44

Abstract: 本说明书中提供影像译码方法及装置，在本说明书提供影像译码方法，其包括如下步骤：获取指示译码对象块的多重转换集适用与否的参数、译码对象块的宽度、译码对象块的高度的信息；基于指示多重转换集适用与否的参数、译码对象块的宽度和高度的信息中的至少一个而判断译码对象块的转换类型，并设定译码对象块的归零区域；及基于译码对象块的归零区域及转换类型的判断结果而执行译码对象块的逆转换。

公开(公告)号：CN110386951B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201910327626.6

申请日：2019-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔华逸 ,  郭允铉 ,  具贤 ,  金成俊 ,  荒谷介和 ,  李锦喜 ,  李善英 ,  黄圭荣

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H10K85/10 ,  H10K85/60 ,  H10K50/11 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K50/17 ,  H10K50/18

Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括其的诊断组合物，所述有机金属化合物由式1表示，其中M、L1、L2、n1和n2各自独立地与说明书中所定义的相同。式1M(L1)n1(L2)n2。

公开(公告)号：CN114388507A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111216535.9

申请日：2021-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锡和 ,  金冈昱 ,  鲁贤硕 ,  朴容臣 ,  宣潒珪 ,  李善英 ,  李昭享 ,  李泓浚 ,  郑湖璇 ,  陈姃玟 ,  崔贞姬 ,  崔秦瑞 ,  洪世罗

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：形成包括多个晶体管的下部结构；在下部结构上形成导电层；在导电层上形成第一初步焊盘掩模图案和布线掩模图案；在保护布线掩模图案的同时，通过图案化第一初步焊盘掩模图案来形成焊盘掩模图案；以及使用焊盘掩模图案和布线掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层，以形成焊盘图案和布线图案。

公开(公告)号：CN110416061A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910292773.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  康珉材 ,  金娟 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  金善政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

公开(公告)号：CN119937241A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411480630.3

申请日：2024-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  李智娟 ,  林圭铉 ,  全震洹 ,  蔡贞厦 ,  河旻永

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法。所述抗蚀剂组合物可包括由式1‑1至1‑4之一表示的有机金属化合物和由式2表示的添加剂，其中式1‑1至1‑4和2中的M11、L11至L14、a11至a14、R11至R14、b11至b14、Y11至Y13、X11至X13、Y21、Y22、L21、和a21描述于说明书中。#imgabs0#式2#imgabs1#

公开(公告)号：CN119922314A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510256477.4

申请日：2020-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英

IPC: H04N19/174 ,  H04N19/42

Abstract: 本发明提供一种影像译码装置执行的影像译码方法。一实施例的影像译码方法包括如下步骤：从位流获取显示当前NAL单元的类型的NAL单元类型信息；及对于所述NAL单元类型信息显示所述当前NAL单元的NAL单元类型为影像切片的编码数据的情况，基于当前图像是否适用混合NAL单元类型，而对所述影像切片进行译码。

公开(公告)号：CN119893135A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510346509.X

申请日：2020-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英

IPC: H04N19/60 ,  H04N19/176 ,  H04N19/44

Abstract: 本说明书中提供影像译码方法及装置，在本说明书提供影像译码方法，其包括如下步骤：获取指示译码对象块的多重转换集适用与否的参数、译码对象块的宽度、译码对象块的高度的信息；基于指示多重转换集适用与否的参数、译码对象块的宽度和高度的信息中的至少一个而判断译码对象块的转换类型，并设定译码对象块的归零区域；及基于译码对象块的归零区域及转换类型的判断结果而执行译码对象块的逆转换。

公开(公告)号：CN118259546A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311459037.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  金旻相 ,  李善英 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和通过使用其形成图案的方法，所述抗蚀剂组合物包括：由式1表示的有机金属化合物；和包括含有产生自由基的基团的重复单元、含有接受自由基的基团的重复单元、或其任意组合的聚合物。式1中的R11、R12和n的描述提供于说明书中。式1Sn(R11)n(OR12)(4‑n)。

公开(公告)号：CN110416061B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201910292773.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  康珉材 ,  金𡜧娟 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  金善政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。