公开(公告)号：CN107464846B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201710406601.6

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆

IPC: H01L29/78

Abstract: 本公开涉及场效应晶体管和半导体结构。场效应晶体管包括半导体基板和在半导体基板上的鳍结构，该半导体基板包括具有第一晶格常数的第一半导体材料。鳍结构包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，第二晶格常数与第一晶格常数不同。鳍结构还包括在第一方向上伸长的下部、从下部突出并在不同于第一方向的第二方向上伸长的多个上部以及与多个上部交叉的栅极结构。

公开(公告)号：CN107437543B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201710383517.7

申请日：2017-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/775 ,  H01L29/04 ,  H01L21/8252

Abstract: 本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括：包括主表面的衬底；化合物半导体纳米线，其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分；覆盖第一部分的栅电极；以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。

公开(公告)号：CN107437543A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710383517.7

申请日：2017-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/775 ,  H01L29/04 ,  H01L21/8252

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/30612 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/207 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L27/085 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/04 ,  H01L29/775

Abstract: 本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括：包括主表面的衬底；化合物半导体纳米线，其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分；覆盖第一部分的栅电极；以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。

公开(公告)号：CN107221560A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710170062.0

申请日：2017-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  M.坎托罗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66666

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。