公开(公告)号：CN1841774A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067355.8

申请日：2006-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩祯希 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  田尚勋 ,  郑渊硕 ,  李承铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种适用于形成在半导体衬底上的非易失性存储器件的制造方法和所得到的结构的示范性实施例。栅极结构的示范性实施例包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上用于储存电荷的储存节点，形成在储存节点上的第二绝缘膜，形成在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的栅电极。选择绝缘膜使得第二和第三绝缘膜之一或两者的介电常数大于第一绝缘膜的介电常数。

公开(公告)号：CN1832201A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610004393.9

申请日：2006-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱亨 ,  韩祯希 ,  金桢雨 ,  闵约赛 ,  金汶庆 ,  郑渊硕

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在该隧道绝缘膜上的存储节点；形成在该存储节点上的阻挡绝缘膜；以及形成在该阻挡绝缘膜上的控制栅极电极。该存储节点至少包括具有不同陷阱密度的两层捕获膜，该阻挡绝缘膜具有比硅氧化物膜的介电常数大的介电常数。