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公开(公告)号：CN111010516B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201910664816.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器，包括：光源，被配置为向目标对象发射光信号；和像素阵列，包括第一像素，第一像素被配置为基于从目标对象反射的光信号产生像素信号，其中，第一像素包括第一光栅极组和第二光栅极组，第一光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第一相位差的第一栅极信号的至少两个光栅极，第二光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第二相位差的第二栅极信号的至少两个光栅极。
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公开(公告)号：CN112786628A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010824114.3
申请日：2020-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；以及偏振器，其设置在衬底的第一表面。偏振器包括：下结构，其包括至少一个沟槽，所述至少一个沟槽从衬底的第一表面朝向光电转换区域凹陷；以及多个上图案，其设置在下结构上，并且在与第一表面平行的第一方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN110970452A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910710726.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
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公开(公告)号：CN1819630B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610006730.8
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603
Abstract: 一种CMOS有源像素传感器，其包括：光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、叉指型源极跟随器晶体管和选择晶体管，其中，所述光电二极管响应入射光产生电荷，所述传输晶体管将存储在所述光电二极管中的电荷传输至感测节点，所述复位晶体管耦合至电源电压，其对所述感测节点的电压进行复位，使所述感测节点基本上具有电源电压的电平，所述叉指型源极跟随器晶体管对所述感测节点的电压进行放大，所述选择晶体管响应于选择信号将所述叉指型源极跟随器晶体管的源电极电压传输至内部电路，因此，可以增大所述源极跟随器晶体管的沟道长度，并降低由源极跟随器晶体管引起的MOS器件噪声。
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公开(公告)号：CN1866531A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084827.0
申请日：2006-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3597 , H04N5/3745 , H04N5/37457
Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的单元像素，其包括光电转换元件、转移晶体管、升压电容器和信号转移电路，其中，光电转换元件基于入射光产生电荷，转移晶体管响应转移控制信号将电荷转移到浮动扩散结点，升压电容器被放置在转移晶体管的栅极和浮动扩散结点之间，并且信号转移电路响应选择信号来转移浮动扩散结点的电势，并且浮动扩散结点的电势的动态范围可以加宽，转移晶体管的漏极－源极电压差可以增加，从而电荷转移效率可以提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119300500A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410484480.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，所述基板包括第一光电二极管(PD)区域和与所述第一PD区域相邻的第二PD区域；第一PD，所述第一PD具有第一面积，位于所述第一PD区域中；第二PD，所述第二PD位于所述第二PD区域中，所述第二PD具有比所述第一面积小的第二面积；微透镜，所述微透镜位于所述基板上并且覆盖所述第一PD区域；以及分光器，所述分光器位于所述基板和所述微透镜之间，所述分光器包括具有与所述微透镜的折射率不同的折射率的材料。所述分光器从所述第一PD区域延伸到所述第二PD区域。
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公开(公告)号：CN110310965B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910137817.6
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。图像传感器包括基底，所述基底包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面。图像传感器包括位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷的第一光电门和第二光电门。此外，图像传感器包括第一微透镜和第二微透镜，所述第一微透镜和第二微透镜位于第二表面上并且构造为使入射光朝向第一光电门和第二光电门传输。
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公开(公告)号：CN110248124B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201910090962.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/77 , H04N25/772 , H04N25/78 , H04N25/76
Abstract: 提供图像传感器、包括其的图像检测系统以及操作其的方法。所述图像传感器可包括被配置为响应于入射在像素上的光生成图像信号的像素。像素可包括被配置为在感测时间段期间收集由入射在像素上的光产生的电荷的电荷收集电路以及浮置扩散区。所述图像传感器还可包括被配置为存储所述电荷并在感测时间段之后的转移时间段期间被配置为将所述电荷的至少一部分转移到浮置扩散区的存储单元。从存储单元转移到浮置扩散区的电荷量可由施加到存储单元的存储控制端的存储控制信号的电压电平来控制。
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公开(公告)号：CN115623342A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210725891.1
申请日：2022-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , G01S17/894 , G01S7/4865 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种用于距离测量的图像传感器以及一种包括所述图像传感器的图像传感器模块。所述图像传感器包括：像素阵列，所述像素阵列包括多个像素，所述多个像素包括布置在第一线上的多个第一像素和布置在第二线上的多个第二像素，其中，所述多个第一像素和所述多个第二像素被布置为彼此交错，并且所述多个第一像素和所述多个第二像素中的每一个像素包括多个调制晶体管，所述多个调制晶体管用于在光电荷收集时段期间接收多个调制信号；行译码器，所述行译码器向所述像素阵列提供控制信号和所述多个调制信号；以及模数转换电路，所述模数转换电路从所述像素阵列接收多个感测信号并且将所述多个感测信号转换成多个数字信号。
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公开(公告)号：CN114089345A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110886269.4
申请日：2021-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S17/08 , G01S17/26 , G01S17/32 , G01S17/894
Abstract: 一种方法基于交叉时间偏移来测量飞行时间(ToF)传感器和对象之间的距离。ToF传感器包括至少一个深度像素和用于将发射光引导到对象的光源。深度像素可以具有多抽头结构并且可以基于接收光和具有不同相位的解调信号来生成采样数据。接收光与从对象反射的发射光相对应。该方法包括：在发射光和解调信号之间生成时间偏移；执行采样操作以生成与时间偏移相对应的采样数据；基于第一参考抽头的采样数据基本上等于第二参考抽头的采样数据来确定交叉时间偏移；以及基于交叉时间偏移来确定ToF传感器和对象之间的距离。
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