公开(公告)号：CN108155147A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711224331.3

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  尹灿植 ,  洪镇宇 ,  金根楠 ,  金桐晤 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  李昊仁 ,  张成豪 ,  郑基旭 ,  黄有商

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开提供了半导体存储器件及其制造方法。一种制造半导体存储器件的方法可以包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的衬底；形成覆盖单元阵列区域并暴露外围电路区域的至少一部分的掩模图案；在由掩模图案暴露的外围电路区域上生长半导体层，使得半导体层具有与衬底不同的晶格常数；形成覆盖单元阵列区域并暴露半导体层的缓冲层；形成覆盖缓冲层和半导体层的导电层；以及图案化导电层以在单元阵列区域上形成导电线以及在外围电路区域上形成栅电极。