-
公开(公告)号:CN117423728A
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202310879146.7
申请日:2023-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括:沟道,包括二维(2D)半导体材料;源电极和漏电极,分别电连接到沟道的相对两侧;过渡金属氧化物层,在沟道上并包括过渡金属氧化物;电介质层,在过渡金属氧化物层上并包括高k材料;以及栅电极,在电介质层上。
-
公开(公告)号:CN110495069A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201880023749.4
申请日:2018-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据实施例的无线电力发送设备可以包括电力发送电路和处理器。所述处理器可以被配置为:控制所述电力发送电路向所述无线电力发送设备周围的第一区域无线地发送电力,当在所述第一区域周围的第二区域中检测到障碍物时,执行预先确定的第一操作,以及当检测到所述障碍物已经进入所述第一区域时,执行预先确定的第二操作。
-
-
公开(公告)号:CN116960163A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202310453556.5
申请日:2023-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括:第一半导体层,包括第一半导体材料;金属层,面对第一半导体层并具有导电性;2D材料层,在第一半导体层和金属层之间;以及第二半导体层,在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。
-
公开(公告)号:CN116137782A
公开(公告)日:2023-05-19
申请号:CN202211434058.8
申请日:2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种非易失性存储装置及神经形态设备。该垂直非易失性存储装置可以包括:在第一方向上延伸的沟道层;多个栅电极和多个间隔物,其中每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸,多个栅电极和多个间隔物在第一方向上彼此交替排列;以及在沟道层和多个栅电极之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层。多个栅电极中的每个可以包括金属掺杂的石墨烯。
-
公开(公告)号:CN110495070B
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN201880023956.X
申请日:2018-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了无线电力发射器,所述无线电力发射器包括:电力发送电路;通信电路;以及控制电路,所述控制电路被配置为:执行控制以通过所述电力发送电路无线地发送用于运行电子设备的第一量值的电力;获得操作执行命令,所述操作执行命令使能所述电子设备执行第一操作;基于所述操作执行命令,将电力的量值从第一量值增加到第二量值;以及在增加了电力的量值之后,通过所述通信电路向所述电子设备发送使能所述第一操作被执行的第一通信信号。
-
公开(公告)号:CN113287292B
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202080008277.2
申请日:2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/72454
Abstract: 提供一种电子装置。电子装置包括:音频接收器,被配置为获得由外部对象输出的声音的音频信号;传感器,被配置为感测电子装置的姿态;显示器;以及处理器,被配置为基于由音频接收器获得的音频信号来确定外部对象相对于电子装置所位于的方向,以及基于由传感器所感测的电子装置的姿态和外部对象所位于的方向,控制显示器显示与外部对象相对应的图形对象。
-
-
公开(公告)号:CN110495070A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201880023956.X
申请日:2018-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了无线电力发射器,所述无线电力发射器包括:电力发送电路;通信电路;以及控制电路,所述控制电路被配置为:执行控制以通过所述电力发送电路无线地发送用于运行电子设备的第一量值的电力;获得操作执行命令,所述操作执行命令使能所述电子设备执行第一操作;基于所述操作执行命令,将电力的量值从第一量值增加到第二量值;以及在增加了电力的量值之后,通过所述通信电路向所述电子设备发送使能所述第一操作被执行的第一通信信号。
-
公开(公告)号:CN109837524A
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201811431633.2
申请日:2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/511 , C01B32/186 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50%至99%的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外,所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-