公开(公告)号：CN107785048A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710740518.2

申请日：2017-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志锡 ,  朴一汉 ,  朴世桓

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C7/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。

公开(公告)号：CN107230496A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710187763.5

申请日：2017-03-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 李耀翰 ,  金志锡 ,  俞昌渊 ,  千镇泳 ,  张实完 ,  高准英 ,  郑盛旭 ,  金志秀

IPC: G11C16/08

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28

Abstract: 存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。