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公开(公告)号：CN109817620A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811381520.6
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/768 , H01L23/535
Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。
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