公开(公告)号：CN100373535C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510064655.6

申请日：2005-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑敬锡 ,  韩圭熙 ,  郑和俊 ,  林暻春 ,  金承炫

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明揭示了一种可以使蒸镀在晶片表面的薄膜厚度均匀的半导体制造装置。所揭示的半导体制造装置，包含：用于支持晶片并可旋转地设置在反应室内的支持部件；用于向晶片上部分散供应工程气体的气体供应装置。气体供应装置包含具有从晶片旋转中心相隔距离互不相同的位置上形成多个排气孔的气体分配板。

公开(公告)号：CN101123262A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710146413.0

申请日：2007-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仁雨 ,  金东奎 ,  李正浩 ,  宋荣九 ,  朴铉 ,  朴旻昱 ,  朴仁浩 ,  李庸羽 ,  秋玟亨 ,  郑敬锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/48 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种显示基板及其制造方法，以及具有该显示基板的液晶显示装置。该显示基板包括：存储电极，其在形成于基板上的第一和第二区域上延伸；形成于存储电极上的绝缘层图案；以及形成在绝缘层图案上的第一和第二像素电极。第一和第二像素电极中的至少一个具有至少一个凹槽。绝缘层图案具有第一和第二开口，其形成在对应于存储电极的第一和第二区域上。从而，由于该凹槽或开口，在第一和第二像素电极的制造过程中可防止第一和第二像素电极之间的电短路。

公开(公告)号：CN1924087A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200510135658.4

申请日：2005-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑敬锡 ,  尤沙科夫·安德瑞 ,  朴宣美 ,  郑和俊 ,  金应秀

IPC: C23C16/513

Abstract: 本发明涉及一种等离子增强化学气相沉积装置，包含：具有反应室和接近口的室主体；布置在反应室中而用于喷射沉积气体的气体喷射部；通过第一铰链结合于室主体的室导板，该室导板旋动于打开接近口的打开位置与关闭接近口的关闭位置之间。因此，可以有效地分解气体喷射部。

公开(公告)号：CN1832103A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200510064655.6

申请日：2005-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑敬锡 ,  韩圭熙 ,  郑和俊 ,  林暻春 ,  金承炫

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明揭示了一种可以使蒸镀在晶片表面的薄膜厚度均匀的半导体制造装置。所揭示的半导体制造装置，包含：用于支持晶片而可旋转地设置在反应室内的支持部件；用于向晶片上部分散供应工程气体的气体供应装置。气体供应装置包含具有从晶片旋转中心相隔距离互不相同的位置上形成多个排气孔的气体分配板。