公开(公告)号：CN1023623C

公开(公告)日：1994-01-26

申请号：CN91103355.6

申请日：1991-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵东暄 ,  黄泓善 ,  赵秀仁 ,  陈大济

IPC: G11C11/40 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C7/065

Abstract: 通过导通或截止外部电压端与接地端之间的驱动晶体管来控制高密度半导体存储器的传感放大器的传感放大器驱动电路，它包括连接到驱动晶体管栅极的偏置电路，以控制其栅压，降低传感放大器驱动信号的峰值电流。而且，以具有双线性斜率的波形产生驱动信号，使噪声功率下降。该偏置电路连接到箝位电路实现对所述驱动电路有效恢复电压的箝位。所述驱动电路还包括含有两个以上顺序启动镜象电流电路的恒定电流电路使传感放大器驱动信号具有稳定双线性斜率。

公开(公告)号：CN1021997C

公开(公告)日：1993-09-01

申请号：CN90106626.5

申请日：1990-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵东宣 ,  赵秀仁 ,  陈大济

IPC: G11C7/02 ,  G11C11/40

CPC classification number: H01L23/5222 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C8/14 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种高密度存储设备，通常包括多个排连接到多个字线、多个位线、和译码器。这种存储设备中各毗邻线之间的电容会引起不希望有的耦合干扰，从而将各信号引入歧途。一种旨在解决上述这些问题的存储设备，其存储单元陈列包括多个位线BL、多个字线WL和多个读出放大器SA。各字线每四个一组进行扭曲，使得各线在其整个长度上与其毗邻接线相隔一段距离，且系配置得使各线之间的耦合电容减小。各字线驱动器以这样的方式配置在阵列两边，使得存储设备的布局达到最佳情况。

公开(公告)号：CN1056763A

公开(公告)日：1991-12-04

申请号：CN91103355.6

申请日：1991-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵东暄 ,  黄泓善 ,  赵秀仁 ,  陈大济

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C7/065

Abstract: 通过导通或截止外部电压端与接地端之间的驱动晶体管来控制高密度半导体存储器的传感放大器的传感放大器驱动电路，它包括连接到驱动晶体管棚极的偏置电路，以控制其栅压，降低传感放大器驱动信号的峰值电流。而且，以具有双线性斜率的波形产生驱动信号，使噪声功率下降。该偏置电路连接到箝位电路实现对所述驱动电路有效恢复电压的箝位。所述驱动电路还包括含有两个以上顺序启动镜象电流电路的恒定电流电路使传感放大器驱动信号具有稳定双线性斜率。

公开(公告)号：CN1052964A

公开(公告)日：1991-07-10

申请号：CN90106618.4

申请日：1990-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵秀仁 ,  徐东一 ,  黄泓善

IPC: G11C8/02

Abstract: 公开了用于增加位线间和读出放大器间的间距以便于实现半导体存储器件的制造的一种布局设计方法和能够减少读出放大器数量的半导体存储阵列。该半导体存储器阵列包括多条位线，多个读出放大器，每个读出放大器与每一对位线相连接，其中，按每列设置的读出放大器构成各个组，奇数对位线与偶的或奇的读出放大器相连，偶数对位线与奇的或偶的读出放大器相连。