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公开(公告)号：CN109506779A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810164740.7
申请日：2018-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵庆相
Abstract: 提供了滤波器阵列、包括滤波器阵列的光谱检测器以及使用该光谱检测器的光谱仪。滤波器阵列可以具有包括多个滤波器阵列的多阵列结构。滤波器阵列可以包括：第一滤波器阵列，具有第一结构，在第一结构中布置了多个具有不同透射谱的第一滤波器；第二滤波器阵列，具有第二结构，在第二结构中布置了多个具有不同透射谱的第二滤波器；第二滤波器阵列布置成在相对于第一滤波器阵列的第一位置处与第一滤波器阵列至少部分地交迭，使得多结构型滤波器阵列具有第一组吸收特性。第二滤波器阵列可以配置为布置成在相对于第一滤波器阵列的第二位置处与第一滤波器阵列至少部分地交迭，使得多结构型滤波器阵列具有与第一组吸收特性不同的第二组吸收特性。
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公开(公告)号：CN103059868B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210397296.6
申请日：2012-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/82 , C01P2006/40 , H01L29/127 , H01L29/20 , H01L29/22 , H01L29/7613
Abstract: 本发明提供颗粒、颗粒的溶液和制造纳米颗粒的方法。所述纳米颗粒的制造方法包括：提供金属硫属化物复合物(MCC)水合肼溶液；提供具有第一有机配体的纳米颗粒的第一有机溶液；通过混合MCC水合肼溶液和覆盖有第一有机配体的纳米颗粒的第一有机溶液形成混合溶液；和用MCC水合肼配体替换纳米颗粒的第一有机配体。
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公开(公告)号：CN101008099A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610172885.9
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种生产纳米线的方法。该方法包括以下步骤：提供具有多个管道形式的孔的多孔模板，将纳米颗粒或纳米颗粒前体填充到该管道中，以及将填充的纳米颗粒或纳米颗粒前体形成为纳米线。根据该方法，可以以简单方式生产高直线性并排列有序的纳米线。
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公开(公告)号：CN112786718A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010376028.0
申请日：2020-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵庆相
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/072 , H01L31/103 , H01L31/109 , H01L31/113
Abstract: 公开了一种光电器件，包括量子点核和设置在量子点核的表面的至少一部分上的中间物，从而将入射在光电器件上的光能转换成电能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102983230B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210328278.2
申请日：2012-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L51/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/00 , G03F7/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
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公开(公告)号：CN102983230A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210328278.2
申请日：2012-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L51/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/00 , G03F7/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
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公开(公告)号：CN1953230B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610142422.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻-变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
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公开(公告)号：CN1953230A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142422.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻－变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
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公开(公告)号：CN1854862A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077102.9
申请日：2006-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/13 , H01L33/00
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/133617 , G02F2202/36
Abstract: 本发明提供了一种光激发光(PL)LCD，其包括：电极，设置在前基板和后基板的底表面和顶表面上并在液晶(LC)中创建电场；纳米点(ND)PL层，设置在前基板的底表面并且在由紫外(UV)光照射时发光；以及UV背光单元，位于后基板之后并且将UV光提供给ND PL层。UV背光单元由360到460nm波长范围的蓝色UV光激发以发光。具有上述结构的PDLCD抑制了LC的UV光吸收和LC的退化，同时提供了高的光效率。
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