公开(公告)号：CN110896128B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201910603076.6

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哉勋 ,  申喜珠 ,  皮雄焕

IPC: H10B61/00 ,  H10N52/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明构思的示例实施方式提供了包括自旋轨道转矩线的半导体器件以及操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：存储层，包括至少一个第一磁性层；以及参考层，面对存储层并包括至少一个第二磁性层。该器件还包括在存储层和参考层之间的隧道势垒层。该器件还包括与存储层相邻的至少一个自旋轨道转矩线。

公开(公告)号：CN112349830A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010633174.7

申请日：2020-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皮雄焕 ,  李同规

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 公开了一种磁存储器件，该磁存储器件包括：在第一方向上延伸并且具有被固定在一个方向上的磁化方向的第一磁性图案；以及跨过第一磁性图案延伸的多个第二磁性图案。第二磁性图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开。每个第二磁性图案包括在第二方向上彼此间隔开的多个磁畴。

公开(公告)号：CN111261771A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910733076.8

申请日：2019-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金晥均 ,  李俊明 ,  郑峻昊 ,  皮雄焕

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。

公开(公告)号：CN102569642B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110404641.X

申请日：2011-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洸奭 ,  郑佑仁 ,  申在光 ,  金起园 ,  李成喆 ,  皮雄焕

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。

公开(公告)号：CN102377388B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110185391.5

申请日：2011-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洸奭 ,  李成喆 ,  金起园 ,  皮雄焕

IPC: H03B15/00

CPC classification number: H03B15/006

Abstract: 本发明提供一种振荡器及其操作方法。该振荡器包括具有固定磁化方向的被钉扎层、在被钉扎层之上的第一自由层、以及在第一自由层之上的第二自由层。该振荡器配置为利用第一自由层和第二自由层中的至少一个的磁矩的进动来产生信号。

公开(公告)号：CN101964440A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010194822.X

申请日：2010-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  马塞厄斯·克劳伊 ,  徐顺爱 ,  曹永真 ,  皮雄焕 ,  裵智莹 ,  许镇盛

IPC: H01P7/00 ,  H01P7/10

CPC classification number: H03B15/006 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明涉及一种振荡器及其操作方法。该振荡器利用磁畴壁的磁矩的进动来产生信号。振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。非磁性分隔层插置在自由层和固定层之间。

公开(公告)号：CN111261771B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910733076.8

申请日：2019-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金晥均 ,  李俊明 ,  郑峻昊 ,  皮雄焕

IPC: H10N50/10 ,  H10N52/00 ,  H10N52/01 ,  H10B61/00

Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。

公开(公告)号：CN112397640B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202010816531.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  皮雄焕

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的第一磁性层、在第一磁性层上并与第一磁性层平行地延伸的第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间延伸的导电层。第一磁性层包括第一区域，该第一区域具有沿第一方向在第一旋转方向上取向的磁矩。第二磁性层包括第二区域，该第二区域具有沿第一方向在第二旋转方向上取向的磁矩。第二旋转方向不同于第一旋转方向。

公开(公告)号：CN116782750A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310269236.4

申请日：2023-03-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： S·P·帕金 ,  田在春 ,  A·米格里奥里尼 ,  皮雄焕

IPC: H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导电线以及在导电线的顶表面上在第一方向上延伸的磁轨线。导电线可以包括在第二方向上具有第一宽度的第一区域以及在第二方向上具有第二宽度的第二区域。第一方向和第二方向平行于导电线的顶表面并且彼此垂直。第二宽度可以大于第一宽度。磁轨线包括在导电线的第一区域上在第一方向上排列的第一畴以及在导电线的第二区域上在第一方向上排列的第二畴。每个第二畴的尺寸可以小于每个第一畴的尺寸。

公开(公告)号：CN116171052A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211477599.9

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  马克斯-普朗克科学促进协会

Inventor： S.P.帕金 ,  梁时熏 ,  尹智湖 ,  皮雄焕

IPC: H10B61/00

Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导线以及在导线上在第一方向上延伸的磁道。磁道包括：顺序堆叠于导线上的下磁层、间隔层和上磁层，以及在间隔层上且邻近上磁层的侧面的非磁图案。非磁图案与下磁层的一部分垂直重叠。下磁层和上磁层通过间隔层彼此反铁磁耦合。