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公开(公告)号：CN1625799A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828976.5
申请日：2002-07-16
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/401 , G02F1/1362 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。
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公开(公告)号：CN1646726A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808847.9
申请日：2003-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , C23C16/30 , G02F2001/136222 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法、利用该绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法，更具体地涉及一种可显著地改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘的方法，从而解决了寄生电容问题以获得高开口率结构，并且当通过CVD法或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，通过使用硅烷气体可以降低工序时间。本发明还涉及一种利用该工序的薄膜晶体管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1484778A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN01821646.3
申请日：2001-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/133357 , G02F2001/136236 , G02F2202/42 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。
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公开(公告)号：CN1290922A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00132400.4
申请日：2000-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F2001/136222 , H01L27/12 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 显示区中具有在矩阵阵列形式的像素处有开口的黑底,外围区中具有包括公用焊盘和公用信号线的公用布线及栅焊盘,外部区域中具有用于精确地对准绝缘基板上的各中间薄膜层的对准标记。在绝缘基板上像素处形成其边缘与黑底重叠的红、绿、蓝滤色器,并在其上形成覆盖黑底和滤色器、并具有暴露栅焊盘的接触孔的有机绝缘层。在有机绝缘层上形成包括通过接触孔与栅焊盘连接的栅线和与栅线连接的栅极的栅布线,并在有机绝缘层上形成覆盖栅布线的栅绝缘层。
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