公开(公告)号：CN1484778A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821646.3

申请日：2001-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪完植 ,  崔峻厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

公开(公告)号：CN1511432A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN02810619.9

申请日：2002-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔峻厚 ,  崔凡洛 ,  蔡钟哲 ,  郑镇九

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L51/524

Abstract: 提供一种有机EL器件及其制造方法。其上形成有阳极、有机发光层和阴极的有效显示区被金属罩、玻璃盖或有机/无机材料密封。通过从有效显示区延伸至非有效显示区的能量传送部分给阳极和阴极供电。因此，可以减少有机EL器件阴极的氧化，从而防止阴极的电接触性能恶化。