公开(公告)号：CN1750234A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510079521.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  池京求 ,  姜昌珍 ,  李哲圭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76897

Abstract: 提供一种使用硅化锗牺牲层形成半导体器件的精细图形的方法以及使用该方法形成自对准接触的方法。形成半导体器件的自对准接触的方法包括在衬底上形成具有导电材料层、硬掩模层以及侧壁隔片的导电线结构，以及在衬底的整个表面上形成硅化锗(Si1－xGex)牺牲层，具有等于或高于至少导电线结构的高度的高度。然后，在牺牲层上形成用于限定接触孔的光刻胶图形，以及干法刻蚀牺牲层，由此形成用于露出衬底的接触孔。使用多晶硅形成用于填充接触孔的大量接触，以及剩余的牺牲层被湿法刻蚀。然后，用氧化硅填充除去了牺牲层的区域，由此形成第一层间绝缘层。

公开(公告)号：CN1702845A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510074070.2

申请日：2005-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣勋 ,  南炳允 ,  池京求

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/10876

Abstract: 形成场效应晶体管的方法包括在其中具有多个沟槽隔离区的半导体衬底上形成第一电绝缘层的步骤，该多个沟槽隔离区在其间限定有源区。然后构图第一电绝缘层，以在其中限定相对有源区延伸的多个第一开口。然后通过用电绝缘栓塞填充该多个第一开口，形成在其中具有多个第二开口的沟槽掩模，然后使用电绝缘栓塞作为刻蚀掩模，刻蚀已构图的第一电绝缘层。然后通过使用沟槽掩模作为刻蚀掩模刻蚀半导体衬底，在有源区形成多个沟槽。然后形成延伸到多个沟槽中的多个绝缘栅电极。

公开(公告)号：CN1129959C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN98114842.5

申请日：1998-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻燮 ,  池京求

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种利用具有开口的光刻胶图形干法腐蚀半导体衬底或形成于半导体衬底的层的工艺和设备，所述工艺包括：在腐蚀室中两电极之一上加RF功率源，在腐蚀室中形成等离子体；在腐蚀室中两电极的另一个上加RF偏置功率，其中两电极的另一个支撑半导体衬底；及启动将周期性地开/关的RF功率源和RF偏置功率源，使两者间具有相位差；光刻胶图形开口的两侧壁上部边缘部分未被腐蚀，同时此上部边缘上形成了聚合物，从而得到与开口相应的腐蚀部分的临界尺寸。