公开(公告)号：CN113097303A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202010939673.9

申请日：2020-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  李银河 ,  金正华 ,  李香淑 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11502

Abstract: 提供了包括具有被调整的晶向的电介质层的电子器件、制造该电子器件的方法和包括该电子器件的存储器件。该电子器件包括提供在衬底上的籽晶层和提供在籽晶层上的电介质层。籽晶层包括具有被配向的晶向的晶粒。电介质层包括具有配向在与籽晶层的晶向相同的方向上的晶向的晶粒。

公开(公告)号：CN112582539A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011060074.6

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  许镇盛 ,  李香淑 ,  金尚昱 ,  李润姓

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件。本文中公开了薄膜结构体，其包括在包括多个层的介电层上的第一导电层。所述多个层各自包括包含掺杂剂A的掺杂剂层和HfO2层以形成化合物HfxA1‑xOz(0