公开(公告)号：CN109408846B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810928485.9

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奉炫

IPC: G06F30/39

公开(公告)号：CN109408846A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810928485.9

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奉炫

IPC: G06F17/50

Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、非暂时性计算机可读介质以及计算系统，该集成电路包括被配置为同步于时钟信号而操作的第一同步电路。该第一同步电路包括选择器和锁存器单元，其中，选择器包括被配置为接收第一输入信号的第一输入端子、被配置为接收第二输入信号的第二输入端子和被配置为接收扫描使能信号的第三输入端子，扫描使能信号指示扫描测试模式和功能操作模式中的一个，锁存器单元被配置为在扫描测试模式中作为输出与第一输入信号对应的第一输出信号的触发器操作，并且在功能操作模式中作为输出与第二输入信号对应的第二输出信号的锁存器操作。

公开(公告)号：CN1694358B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200510068440.1

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  郑光钰 ,  金颍焕 ,  李奉炫

IPC: H03K3/356 ,  H03K3/012

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/0963

Abstract: 公开了多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器、包括MTCMOS触发器的电路、和形成MTCMOS触发器的方法。所述MTCMOS触发器在休眠模式期间切断泄漏电流路径以保持输出数据信号。所述MTCMOS触发器通常还使用数据反馈单元来保持输出数据信号。

公开(公告)号：CN1694356A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510068440.1

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  郑光钰 ,  金颍焕 ,  李奉炫

IPC: H03K3/356 ,  H03K3/012

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/0963

Abstract: 公开了多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器、包括MTCMOS触发器的电路、和形成MTCMOS触发器的方法。所述MTCMOS触发器在休眠模式期间切断泄漏电流路径以保持输出数据信号。所述MTCMOS触发器通常还使用数据反馈单元来保持输出数据信号。