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公开(公告)号：CN108281167B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201711247786.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。
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公开(公告)号：CN109754835A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811239202.6
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0052 , G11C2013/0092 , G11C2213/72 , G11C2213/76
Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。
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公开(公告)号：CN108305655A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711272709.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0023 , G11C7/10 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2207/2245 , G11C13/0009 , G11C13/004
Abstract: 公开了一种电阻型存储设备及其操作方法。电阻型存储元件或设备包括：第一主存储单元区域，包括多个第一电阻型存储单元；以及第二缓冲存储单元区域，包括多个第二电阻型存储单元。主存储单元区域的第一电阻型存储单元被配置为在其中存储数据，并且缓冲存储单元区域的第二电阻型存储单元被配置为在主存储单元区域中的数据的部分趋于稳定时，将数据的所述部分暂时存储长达至少稳定时间段。
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公开(公告)号：CN110580926B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201910423205.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件的误码率均衡方法。当将包括信息数据和所述信息数据的奇偶校验位的码字写入存储器单元阵列时，所述存储器件根据存储器单元的电阻分布特性选择性地执行纠错码(ECC)交织操作。在根据一个示例的ECC交织操作中，包括信息数据的ECC扇区被划分为第一ECC子扇区和第二ECC子扇区，所述第一ECC子扇区被写入具有高误码率(BER)的第一存储区域的存储器单元，并且第二ECC子扇区被写入具有低BER的第二存储区域的存储器单元。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN109754835B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811239202.6
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。
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公开(公告)号：CN110942794A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910462744.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路存储器设备，包括电阻存储器单元的阵列；以及编程电路，通过多个字线和多个位线电耦合到阵列中的电阻存储器单元的相应行和列。编程电路包括控制电路和字线驱动器，控制电路和字线驱动器被共同配置为在用写入数据编程阵列的操作期间生成字线编程电压，字线编程电压具有作为阵列中的电阻存储器单元的行和/或列地址的函数而变化的量值。根据该函数，同具有与之相关联的第一寄生电阻的第一电阻存储器单元相关联的字线编程电压的量值小于同具有与之相关联的第二寄生电阻的第二电阻存储器单元相关联的字线编程电压的量值，第二寄生电阻大于第一寄生电阻。
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公开(公告)号：CN109841248A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811311090.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。
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公开(公告)号：CN108281167A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711247786.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C29/52 , G11C2013/0076 , G11C2029/0411 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , G11C13/0021
Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。
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