公开(公告)号：CN103578926A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310347252.7

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  金在均 ,  金柱成 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：制备硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；以及在缓冲层上形成氮化物半导体层。缓冲层包括第一层、第二层和第三层。第一层包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），并且其晶格常数（LP1）小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第二层被形成在第一层上，其包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP2）大于第一层的晶格常数（LP1）并小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第三层被形成在第二层上，其包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP3）小于第二层的晶格常数（LP2）。

公开(公告)号：CN103035705A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210367105.1

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT），包括：基板；HEMT叠层，与基板间隔开；以及虚设绝缘层（PIL），设置在基板与HEMT叠层之间。PIL层包括具有不同相的至少两种材料。PIL层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口处更宽。