公开(公告)号：CN101740545A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910225939.7

申请日：2009-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  洪昌基 ,  李在东

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置的配线结构及形成配线结构的方法。在半导体装置的配线结构及其制造方法中，配线结构包括接触焊盘、接触插塞、间隔物和绝缘中间层图案。接触焊盘电连接到基板的接触区域。接触插塞设置在接触焊盘上并电连接到接触焊盘。间隔物面对接触焊盘的上部侧表面和接触插塞的侧壁。绝缘中间层图案具有开口、接触插塞以及设置在开口中的间隔物。配线结构的间隔物可以在形成连接到电容器的接触插塞时防止接触焊盘被清洗液损坏。

公开(公告)号：CN1782005A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510090552.7

申请日：2005-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺圭 ,  金成俊 ,  洪昌基 ,  李在东 ,  大类健一 ,  能条治辉

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/314

CPC classification number: C03C19/00 ,  C03C2218/328 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成电容器表面的方法。该浆料可以包括研磨剂、氧化剂以及控制浆料的pH的至少一种pH控制剂。

公开(公告)号：CN1475540A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02150501.2

申请日：2002-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟元 ,  洪昌基 ,  李在东

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 一种CMP(化学/机械抛光)浆，它能够以高的选择性，快速去除目标层，并能够有效钝化抛光停止层。一方面，CMP浆包含金属氧化物研磨颗粒、去除加速剂、分子量为约1,000到约100,000的阴离子聚合物钝化剂、C1－C12阴离子钝化剂和水。