公开(公告)号：CN109797376B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201811268189.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柄善 ,  徐枝延 ,  任智芸 ,  林炫锡 ,  田炳好 ,  姜有善 ,  权赫镐 ,  朴星津 ,  严太镕 ,  河东协

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。

公开(公告)号：CN114765186A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111482453.9

申请日：2021-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允硕 ,  朴柄善 ,  李怜一 ,  李在哲 ,  任智芸

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了具有掺杂的层间绝缘层的半导体装置以及电子系统。所述半导体装置包括：下存储器堆叠体，设置在基底上并且包括下栅电极和下阶梯结构；上存储器堆叠体，包括上栅电极和上阶梯结构；下层间绝缘层，掺杂有杂质并且覆盖下阶梯结构，下层间绝缘层具有朝向下阶梯结构逐渐增大的掺杂浓度；上层间绝缘层，掺杂有杂质并且覆盖上阶梯结构和下层间绝缘层，上层间绝缘层具有朝向上阶梯结构和下层间绝缘层逐渐增大的掺杂浓度；下接触插塞和上接触插塞，分别接触下栅电极和上栅电极。