-
公开(公告)号：CN101681933B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880020930.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN102130177A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010569845.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。
-
公开(公告)号：CN102104072A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010227417.3
申请日：2010-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。晶体管可包括栅极绝缘体，其中，用等离子体处理栅极绝缘体的至少一个表面。栅极绝缘体的表面可以是接触沟道层的界面。可使用含氟(F)气体对所述界面进行等离子体处理，因而，所述界面可包含氟(F)。用等离子体处理的界面可抑制晶体管由于光而产生的特性改变。
-
公开(公告)号：CN102544032B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110167180.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L27/14661 , H01L27/1469 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227
Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。
-
公开(公告)号：CN102104072B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010227417.3
申请日：2010-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。晶体管可包括栅极绝缘体，其中，用等离子体处理栅极绝缘体的至少一个表面。栅极绝缘体的表面可以是接触沟道层的界面。可使用含氟(F)气体对所述界面进行等离子体处理，因而，所述界面可包含氟(F)。用等离子体处理的界面可抑制晶体管由于光而产生的特性改变。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103792564A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310180851.4
申请日：2013-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种驱动器电路，用于向列线输出根据能量电平来分类和计数光子的结果，所述驱动器电路包括：复用器，用于从计数器接收所述结果；驱动逆变器，用于从所述复用器和电源接收信号；以及，在所述电源和所述驱动逆变器的输入端之间连接的第一开关。
-
公开(公告)号：CN103356219A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210551889.3
申请日：2012-12-18
Applicant: 三星电子株式会社 , 西江大学校产学协力团
IPC: A61B6/03
CPC classification number: G01J1/44 , G01T1/2006 , G01T1/2018 , G01T1/208
Abstract: 本发明提供了一种用于断层扫描的光电倍增器检测器元件，该光电倍增器检测器元件包括：检测器单元，接收具有一定范围的波长的光以生成数字化的检测信号；读出单元，被配置为生成与由检测器单元生成的检测信号相对应的输出信号，并且将该输出信号发送到外部电路，其中，在接收到检测信号之后，读出单元马上将输出信号发送到外部电路。
-
公开(公告)号：CN101546768B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200910130129.3
申请日：2009-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/12 , H03K19/20 , H03K19/094
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/84 , H01L27/0883
Abstract: 本发明提供一种反相器和包括所述反相器的逻辑电路。所述反相器包括耗尽型的负载晶体管和连接到负载晶体管的增强型的驱动晶体管。负载晶体管可以具有作为第一沟道层的第一氧化物层。驱动晶体管可以具有作为第二沟道层的第二氧化物层。
-
公开(公告)号：CN101582453A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910140975.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/66969 , H01L29/78621 , H01L29/78648 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种具有自调整顶栅结构的晶体管及其制造方法。该晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。该晶体管还包括顺序堆叠在沟道区上的栅极绝缘层和栅电极。还提供了包括至少一个晶体管的半导体器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN101546768A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910130129.3
申请日：2009-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/12 , H03K19/20 , H03K19/094
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/84 , H01L27/0883
Abstract: 本发明提供一种反相器和包括所述反相器的逻辑电路。所述反相器包括耗尽型的负载晶体管和连接到负载晶体管的增强型的驱动晶体管。负载晶体管可以具有作为第一沟道层的第一氧化物层。驱动晶体管可以具有作为第二沟道层的第二氧化物层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.054 seconds)
