公开(公告)号：CN119495647A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410686165.2

申请日：2024-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣教 ,  金珉秀 ,  朴商植

IPC: H01L23/31 ,  H10B80/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体管芯；在第一半导体管芯的上表面上的第一底部填充层；在第一底部填充层上的第二底部填充层；提供在第二底部填充层上的第二半导体管芯；以及在第二半导体管芯的侧表面、第二底部填充层的侧表面和第一半导体管芯的上表面上的模层。第一半导体管芯包括第一基板、在第一基板上的第一再分布图案、提供在第一再分布图案上的第一再分布电介质层、以及在第一再分布电介质层上并沿着第一基板的边缘的第一坝，第一底部填充层接触第一坝的侧表面。

公开(公告)号：CN115602640A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210489897.3

申请日：2022-05-06

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李亨周 ,  姜芸炳 ,  朴世哲 ,  朴商植 ,  尹孝镇 ,  李泽勋 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上；底部填充材料层，介于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间；以及第一坝体结构，设置在第一半导体芯片上。第一坝体结构沿第二半导体芯片的边缘延伸并且包括彼此间隔开且其间具有狭缝的单元坝体结构。第一坝体结构的上表面的竖直高度位于第二半导体芯片的下表面的竖直高度和第二半导体芯片的上表面的竖直高度之间。第一坝体结构的第一侧壁与底部填充材料层接触，并且包括与第二半导体芯片的面向第一坝体结构的第一侧壁的侧壁平行的平坦表面。

公开(公告)号：CN113851439A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202110705509.6

申请日：2021-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商植 ,  姜芸炳 ,  金宣教 ,  全俊镐

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一堆叠件；多个TSV，其穿过第一堆叠件；第二堆叠件，其位于第一堆叠件上，并且包括面对第一堆叠件的第一表面的第二表面；第一焊盘，其位于第一堆叠件上，并且与TSV接触；第二焊盘，其位于第二堆叠件上；凸块，其连接第一焊盘和第二焊盘；第一冗余焊盘，其位于第一堆叠件的第一表面上，与第一焊盘间隔开，并且不与TSV接触；第二冗余焊盘，其位于第二堆叠件的第二表面上，并且与第二焊盘间隔开；以及冗余凸块，其连接第一冗余焊盘和第二冗余焊盘，其中，第一焊盘和第一冗余焊盘彼此电连接，并且第二焊盘和第二冗余焊盘彼此电连接。

公开(公告)号：CN112652606A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011078815.3

申请日：2020-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商植 ,  金珉秀

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/24 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488

Abstract: 半导体封装包括基底基板，该基底基板具有第一半导体基板和覆盖第一半导体基板的顶侧的第一保护层。第一圆角层填充第一保护层和第一半导体芯片之间的空间。基底基板的第一侧表面在第一方向上延伸，第二侧表面和第三侧表面在第二方向上延伸。基底基板包括两个拐角区域和在拐角区域之间的侧面区域。侧面区域中的第一保护层包括与第一半导体芯片重叠的第一侧面沟槽。第一圆角层的一部分填充第一侧面沟槽。