公开(公告)号：CN111009607A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910887355.X

申请日：2019-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵贞贤 ,  郑有真 ,  寺井真之 ,  尹镇灿

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：衬底，所述衬底包括外围区域和核心区域，所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域；第一导线，所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸；第二导线，所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和存储单元，所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元，其中，所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。

公开(公告)号：CN107017276A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610890686.5

申请日：2016-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 寺井真之

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L27/2409 ,  H01L21/82 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463

Abstract: 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法、以及半导体装置，该半导体装置包括：第一存储器单元、位线和第二存储器单元。第一存储器单元具有第一堆叠结构，该第一堆叠结构包括第一加热器电极与第一双向阈值开关装置之间的第一存储器层。位线位于第一存储器单元上。第二存储器单元位于位线上，并且具有第二堆叠结构，该第二堆叠结构包括第二双向阈值开关装置与第二加热器电极之间的第二存储器层。第一堆叠结构和第二堆叠结构相对于位线对称。

公开(公告)号：CN120021373A

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202411640676.7

申请日：2024-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晟浚 ,  寺井真之

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：基板；位线，在基板上在第一水平方向上延伸；在位线上的第一模层，其中第一模层包括暴露位线的上表面的一部分的模开口部分并在第二水平方向上延伸；布置在位线上的沟道层；字线，布置在模开口部分内并在第二水平方向上延伸；栅极绝缘层，布置在字线和沟道层之间；在第一模层上的电容器结构；接触层，在沟道层和电容器结构之间；以及辅助绝缘图案，布置为在第一水平方向上与接触层和栅极绝缘层重叠并在第二水平方向上在字线上延伸。

公开(公告)号：CN108666340B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810246904.0

申请日：2018-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 寺井真之

IPC: H10B63/10

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括设置在衬底上、并在第一方向上延伸的第一导线；设置在第一导线上方并在第一方向上延伸的第二导线；以及设置在第一导线与第二导线之间并且串联连接的第一数据存储结构和第一选择器结构。第一数据存储结构包括第一下部数据存储电极、第一数据存储图案和第一上部数据存储电极。第一下部数据存储电极包括面向第一上部数据存储电极并与第一上部数据存储电极竖直对齐的第一部分。第一数据存储图案包括背对彼此的第一侧表面和第二侧表面。第一上部数据存储电极和第一下部数据存储电极的第一部分被设置为与第一数据存储图案的第二侧表面相比更靠近第一数据存储图案的第一侧表面。

公开(公告)号：CN107104123B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201710092603.2

申请日：2017-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 寺井真之 ,  高宽协 ,  姜大焕

IPC: H01L27/24

Abstract: 本公开涉及存储器件。一种存储器件可以包括：衬底；第一导线，其在衬底上并且在第一方向上延伸；第二导线，其在第一导线上方并且在交叉第一方向的第二方向上延伸；第三导线，其在第二导线上方并且在第一方向上延伸；第一存储单元，其在第一导线和第二导线的交点处并且包括第一选择元件层和第一可变电阻层；以及第二存储单元，其在第二导线和第三导线的交点处并且包括第二选择元件层和第二可变电阻层。第一选择元件层在垂直于第一和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二选择元件层在第三方向上的第二高度。

公开(公告)号：CN108666340A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810246904.0

申请日：2018-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 寺井真之

IPC: H01L27/24

CPC classification number: H01L27/249 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括设置在衬底上、并在第一方向上延伸的第一导线；设置在第一导线上方并在第一方向上延伸的第二导线；以及设置在第一导线与第二导线之间并且串联连接的第一数据存储结构和第一选择器结构。第一数据存储结构包括第一下部数据存储电极、第一数据存储图案和第一上部数据存储电极。第一下部数据存储电极包括面向第一上部数据存储电极并与第一上部数据存储电极竖直对齐的第一部分。第一数据存储图案包括背对彼此的第一侧表面和第二侧表面。第一上部数据存储电极和第一下部数据存储电极的第一部分被设置为与第一数据存储图案的第二侧表面相比更靠近第一数据存储图案的第一侧表面。