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公开(公告)号：CN120021373A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411640676.7
申请日：2024-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；位线，在基板上在第一水平方向上延伸；在位线上的第一模层，其中第一模层包括暴露位线的上表面的一部分的模开口部分并在第二水平方向上延伸；布置在位线上的沟道层；字线，布置在模开口部分内并在第二水平方向上延伸；栅极绝缘层，布置在字线和沟道层之间；在第一模层上的电容器结构；接触层，在沟道层和电容器结构之间；以及辅助绝缘图案，布置为在第一水平方向上与接触层和栅极绝缘层重叠并在第二水平方向上在字线上延伸。
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